摘要：基于0.15μm砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管(GaAs PHEMT)工藝,設計并實現(xiàn)了一款K波段的平衡式矢量調(diào)制器微波單片集成電路(MMIC)芯片。該矢量調(diào)制器集成了Lange耦合器、雙相幅度調(diào)制器和威爾金森功率合成器,其中雙相幅度調(diào)制器采用平衡式結(jié)構(gòu)對幅度和相位失真進行了補償。當工作電壓以10 mV為步進,從-0.9~0 V掃描時,矢量調(diào)制器MMIC實現(xiàn)了連續(xù)幅度調(diào)制和0°~360°的相位調(diào)制。測試結(jié)果表明,在18~26 GHz頻率內(nèi),最大調(diào)幅深度大于27 dB,插入損耗小于8.1 dB,輸入電壓駐波比小于1.3∶1,輸出電壓駐波比小于1.5∶1。平衡式矢量調(diào)制器MMIC尺寸為2.4 mm×2.5 mm,該電路具有插入損耗小、芯片尺寸小、功耗低等特點,可廣泛應用于數(shù)字通信系統(tǒng)中。