摘要：氮化鎵GaN(gallium nitride)材料非常適合應用于高頻、高功率、高壓的電子電力器件當中。目前,GaN功率電子器件技術(shù)方案主要分為Si襯底上橫向結(jié)構(gòu)器件和GaN自支撐襯底上垂直結(jié)構(gòu)器件2種。其中,橫向結(jié)構(gòu)器件由于制造成本低且有良好的互補金屬-氧化物-半導體CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工藝兼容性已逐步實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,但是存在材料缺陷多、常關型難實現(xiàn)、高耐壓困難以及電流崩塌效應等問題;垂直結(jié)構(gòu)器件能夠在不增大芯片尺寸的條件下實現(xiàn)高擊穿電壓,具有非常廣闊的市場前景,也面臨著材料生長、器件結(jié)構(gòu)設計和可靠性等方面的挑戰(zhàn)。基于此,主要針對這兩種器件綜述介紹并進行了展望。