首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 工程科技II > 電力工業(yè) > 電源學(xué)報(bào) > 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)氮化鎵功率器件及其在無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)中的應(yīng)用 【正文】
級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)氮化鎵功率器件及其在無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)中的應(yīng)用
錢(qián)洪途; 朱永生; 鄧光敏; 劉雯; 陳敦軍; 裴軼 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 南京210093; 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司; 蘇州215300; 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司; 蘇州215123; 西交利物浦大學(xué)電氣與電子工程系; 蘇州215123
- 氮化鎵
- 高電子遷移率晶體管
- 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)
- 無(wú)線電能傳輸
摘要：為了進(jìn)一步提升電能轉(zhuǎn)換效率,介紹了一款基于650 V氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共柵共源級(jí)聯(lián)(cascode)結(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)管及其在無(wú)線電能傳輸方面的應(yīng)用。在GaN HEMT器件設(shè)計(jì)方面,通過(guò)仿真討論了器件的場(chǎng)板設(shè)計(jì)對(duì)電容和電場(chǎng)的影響。所制造的cascode器件在650 V時(shí)漏電約為2 μA,在源漏電壓400 V時(shí)輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss分別為1 500 pF、32 pF和12 pF,動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻升高約16%。基于該款cascode器件設(shè)計(jì)并展示了一款240~320 kHz、滿載功率1 kW的無(wú)線充電樣機(jī),在200~1 000 W負(fù)載范圍內(nèi)效率明顯高于Si器件,最高效率超過(guò)95%。
- 氮化鎵
- 高電子遷移率晶體管
- 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)
- 無(wú)線電能傳輸
摘要：為了進(jìn)一步提升電能轉(zhuǎn)換效率,介紹了一款基于650 V氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共柵共源級(jí)聯(lián)(cascode)結(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)管及其在無(wú)線電能傳輸方面的應(yīng)用。在GaN HEMT器件設(shè)計(jì)方面,通過(guò)仿真討論了器件的場(chǎng)板設(shè)計(jì)對(duì)電容和電場(chǎng)的影響。所制造的cascode器件在650 V時(shí)漏電約為2 μA,在源漏電壓400 V時(shí)輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss分別為1 500 pF、32 pF和12 pF,動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻升高約16%。基于該款cascode器件設(shè)計(jì)并展示了一款240~320 kHz、滿載功率1 kW的無(wú)線充電樣機(jī),在200~1 000 W負(fù)載范圍內(nèi)效率明顯高于Si器件,最高效率超過(guò)95%。
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
電源學(xué)報(bào)
- 預(yù)計(jì)1-3個(gè)月 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.65 影響因子
- 電力 快捷分類(lèi)
- 月刊 出版周期
主管單位：中華人民共和國(guó)自然資源部;主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì);國(guó)家海洋技術(shù)中心
