摘要：為了有效降低GaAs表面態密度,獲得穩定的高性能鈍化膜,使用聯氨溶液鈍化GaAs(100)表面。通過光致發光對聯氨溶液濃度、Na 2S濃度和鈍化時間進行了優化。聯氨溶液鈍化后GaAs樣品的PL比未處理的增加了1.22倍。采用X射線光電子能譜和原子力顯微鏡分析了聯氨溶液鈍化前后GaAs的表面成分和形貌。結果表明,聯氨溶液鈍化GaAs表面可以有效地去除表面氧化物,形成均勻、平整的GaN鈍化層。通過表面穩定性測試發現,鈍化后的GaAs表面在空氣中放置數天,光致發光強度未見明顯的退化(30 d內PL強度降低7%),說明鈍化后GaAs表面的穩定性良好。