首頁 > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 工程科技I > 金屬學(xué)及金屬工藝 > 焊接技術(shù) > 保溫時間對GaAs功率芯片釬縫組織及性能的影響 【正文】
保溫時間對GaAs功率芯片釬縫組織及性能的影響
任衛(wèi)朋; 羅燕; 劉凱; 陳靖; 王立春 上海航天電子技術(shù)研究所; 上海200240
- gaas芯片
- ausn20釬料
- 過渡層
- 界面反應(yīng)
- 組織演變
摘要：GaAs芯片的使用性能受其散熱效果決定,而散熱主要依靠散熱墊塊與芯片連接的釬縫來決定。為增加釬縫的散熱效果和基體結(jié)合強度,文中分別在芯片層利用物理氣相沉積方法沉積Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散熱墊塊上沉積Ni和Au膜,采用AuSn20共晶釬料,研究保溫時間對釬焊縫組織和界面結(jié)合性能影響。研究結(jié)果表明:共晶結(jié)構(gòu)主要由15~20μm厚的合金層和0.5~3μm厚的IMC層構(gòu)成。隨著保溫時間延長,合金中Sn元素會逐漸被IMC層消耗,合金成分往富Au的(L+ζ′)相區(qū)遷移,相比例增加,保溫時間超過60 s后, IMC層厚度超過3.9μm,剪切力快速減小至89.67 N。
- gaas芯片
- ausn20釬料
- 過渡層
- 界面反應(yīng)
- 組織演變
摘要：GaAs芯片的使用性能受其散熱效果決定,而散熱主要依靠散熱墊塊與芯片連接的釬縫來決定。為增加釬縫的散熱效果和基體結(jié)合強度,文中分別在芯片層利用物理氣相沉積方法沉積Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散熱墊塊上沉積Ni和Au膜,采用AuSn20共晶釬料,研究保溫時間對釬焊縫組織和界面結(jié)合性能影響。研究結(jié)果表明:共晶結(jié)構(gòu)主要由15~20μm厚的合金層和0.5~3μm厚的IMC層構(gòu)成。隨著保溫時間延長,合金中Sn元素會逐漸被IMC層消耗,合金成分往富Au的(L+ζ′)相區(qū)遷移,相比例增加,保溫時間超過60 s后, IMC層厚度超過3.9μm,剪切力快速減小至89.67 N。
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焊接技術(shù)
- 預(yù)計1-3個月 預(yù)計審稿周期
- 0.31 影響因子
- 工業(yè) 快捷分類
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主管單位：天津百利機械裝備集團有限公司;主辦單位：天津市焊接研究所;中國工程建設(shè)焊接協(xié)會
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