摘要：目的觀察氧糖剝奪(OGD)對神經元凋亡及自噬的影響,研究褪黑素(MT)對OGD所致神經元損傷的作用,并以AMPK-mTOR信號通路介導的自噬為靶點探討褪黑素在OGD所致神經元損傷中發(fā)揮保護作用的分子機制。方法將培養(yǎng)成熟的原代神經元分為對照組、OGD處理組、氧糖剝奪+褪黑素(OGD+MT)處理組、氧糖剝奪+褪黑素+細胞自噬抑制劑(OGD+MT+3-mA)處理組及氧糖剝奪+褪黑素+化合物C(OGD+MT+Cpd C)處理組。OGD處理組采用免疫熒光染色和免疫印跡法檢測凋亡及自噬相關蛋白的表達;OGD+MT處理組用褪黑素對神經元進行預處理前/后,檢測神經元凋亡相關指標,觀察OGD所致神經元損傷程度,并采用免疫熒光染色和western blot等方法檢測神經元自噬;OGD+MT+3-mA處理組使用細胞自噬抑制劑(3-mA)處理神經元后探討褪黑素對神經元凋亡及自噬的影響;OGD+MT+Cpd C處理組使用AMPK抑制劑化合物C(Cpd C)處理神經元后,檢測AMPK-mTOR信號通路關鍵分子表達水平,探索褪黑素對AMPK-mTOR通路的調控作用。結果OGD可顯著增加神經元凋亡及自噬,并阻斷自噬流的通暢;褪黑素可以顯著減輕神經元凋亡,激動自噬,并維持自噬流的通暢;細胞自噬抑制劑及化合物C可以逆轉褪黑素對OGD所致神經元損傷的保護作用。結論褪黑素可以通過AMPK-mTOR信號通路激活自噬,從而減輕OGD所致神經元損傷。