IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技術(shù)-工程：電子與電氣學(xué)術(shù)刊物，主要報(bào)道工程技術(shù)-工程：電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來源期刊，該刊創(chuàng)刊于2001年，出版周期Quarterly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級(jí)：Q2，2023年發(fā)布的影響因子為2.5，CiteScore指數(shù)4.8，SJR指數(shù)0.436。本刊非開放獲取期刊。
出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性：設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)（包括 MEMS 和傳感器）、晶體管、技術(shù)（CMOS、BiCMOS 等）、集成電路（IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等）、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模，在每個(gè)階段對(duì)這些實(shí)體的可靠性進(jìn)行測(cè)量和理解，為成功將產(chǎn)品推向市場(chǎng)提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫(kù)。這個(gè)可靠性數(shù)據(jù)庫(kù)是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實(shí)現(xiàn)，因?yàn)楫a(chǎn)品弱點(diǎn)將被發(fā)現(xiàn)（根本原因分析）并在最終產(chǎn)品中設(shè)計(jì)出來。這個(gè)不斷提高可靠性和質(zhì)量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底，可靠性和質(zhì)量不是一回事；但從某種意義上說，我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場(chǎng)成功運(yùn)行。我們的目標(biāo)是抓住這些進(jìn)步。另一個(gè)目標(biāo)是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進(jìn)展，并提供對(duì)影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外，該出版物還是可靠性跨學(xué)科研究的論壇。總體目標(biāo)是提供前沿/最新信息，這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中，主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力，最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的，各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3%
|
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7%
|
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6%
|
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97%
|
湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》（Journal Citation Reports，簡(jiǎn)稱JCR）。JCR對(duì)86000多種SCI期刊的影響因子（Impact Factor）等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中，主要參考當(dāng)年IF，最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality | Q2 | 65 / 207 |
68%
|
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 274 / 797 |
65%
|
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 103 / 284 |
63%
|
CiteScore：該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出，指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是：例如，某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù)，除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。
| 文章名稱 | 引用次數(shù) |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| 期刊名稱 | 引用次數(shù) |
| 國(guó)家/地區(qū)名 | 數(shù)量 |
| 機(jī)構(gòu)名 | 數(shù)量 |
中科院分區(qū) 2區(qū) JCR分區(qū) Q1
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中科院分區(qū) 1區(qū) JCR分區(qū) Q1
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查看詳情若用戶需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。
