摘要：空間電荷的特性及分布狀態直接改變介質內部電場的強弱,嚴重影響器件的電學性能。近年來,納米材料和微納電子器件飛速發展,在納米量級乃至更小尺度上探測和掌握空間電荷的特征信息成為亟待解決的問題。為此基于脈沖電聲法基本原理,設計并實現了一種基于太赫茲波和彈光取樣技術的空間電荷分布測試新方法。基于應力雙折射效應原理,設計制作了彈光取樣傳感器,并測試了性能。搭建了空間電荷測試系統,對定制硅PN結試樣進行了測試,空間電荷區寬度隨偏置電壓的變化規律與PN結基本電學特性吻合。該方法采用全光學技術手段,克服了傳統電子測試技術對系統帶寬的限制,實驗結果表明,該測試方法可以有效且可靠地將空間電荷測試分辨率提升至納米量級。