序論：寫作是一種深度的自我表達(dá)。它要求我們深入探索自己的思想和情感，挖掘那些隱藏在內(nèi)心深處的真相，好投稿為您帶來(lái)了七篇集成電路設(shè)計(jì)規(guī)則范文，愿它們成為您寫作過(guò)程中的靈感催化劑，助力您的創(chuàng)作。

篇(1)

在非微電子專業(yè)如計(jì)算機(jī)、通信、信號(hào)處理、自動(dòng)化、機(jī)械等專業(yè)開設(shè)集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)相關(guān)課程，一方面，這些專業(yè)的學(xué)生有電子電路基礎(chǔ)知識(shí)，又有自己本專業(yè)的知識(shí)，可以從本專業(yè)的系統(tǒng)角度來(lái)理解和設(shè)計(jì)集成電路芯片，非常適合進(jìn)行各種應(yīng)用的集成電路芯片設(shè)計(jì)階段的工作，這些專業(yè)也是目前芯片設(shè)計(jì)需求最旺盛的領(lǐng)域；另一方面，對(duì)于這些專業(yè)學(xué)生的應(yīng)用特點(diǎn)，不宜也不可能開設(shè)微電子專業(yè)的所有課程，也不宜將集成電路設(shè)計(jì)階段的許多技術(shù)（如低功耗設(shè)計(jì)、可測(cè)性設(shè)計(jì)等）開設(shè)為單獨(dú)課程，而是要將相應(yīng)課程整合，開設(shè)一到二門集成電路設(shè)計(jì)的綜合課程，使學(xué)生既能夠掌握集成電路設(shè)計(jì)基本技術(shù)流程，也能夠了解集成電路設(shè)計(jì)方面更深層的技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)。因此，在課程的具體設(shè)置上，應(yīng)該把握以下原則。理論講授與實(shí)踐操作并重集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是一門實(shí)踐性非常強(qiáng)的課程。隨著電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展，采用EDA工具進(jìn)行電路輔助設(shè)計(jì)，已經(jīng)成為集成電路芯片主流的設(shè)計(jì)方法。因此，在理解電路和芯片設(shè)計(jì)的基本原理和流程的基礎(chǔ)上，了解和掌握相關(guān)設(shè)計(jì)工具，是掌握集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)的重要環(huán)節(jié)。技能培訓(xùn)與前瞻理論皆有在課程的內(nèi)容設(shè)置中，既要有使學(xué)生掌握集成電路芯片設(shè)計(jì)能力和技術(shù)的講授和實(shí)踐，又有對(duì)集成電路芯片設(shè)計(jì)新技術(shù)和更高層技術(shù)的介紹。這樣通過(guò)本門課程的學(xué)習(xí)，一方面，學(xué)員掌握了一項(xiàng)實(shí)實(shí)在在有用的技術(shù)；另一方面，學(xué)員了解了該項(xiàng)技術(shù)的更深和更新的知識(shí)，有利于在碩、博士階段或者在工作崗位上，對(duì)集成電路芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的繼續(xù)研究和學(xué)習(xí)。基礎(chǔ)理論和技術(shù)流程隔離由于是針對(duì)非微電子專業(yè)開設(shè)的課程，因此在課程講授中不涉及電路設(shè)計(jì)的一些原理性知識(shí)，如半導(dǎo)體物理及器件、集成電路的工藝原理等，而是將主要精力放在集成電路芯片的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)技術(shù)上，這樣非微電子專業(yè)的學(xué)生能夠很容易入門，提高其學(xué)習(xí)興趣和熱情。

2非微電子專業(yè)集成電路設(shè)計(jì)課程實(shí)踐

根據(jù)以上原則，信息工程大學(xué)根據(jù)具體實(shí)際，在計(jì)算機(jī)、通信、信號(hào)處理、密碼等相關(guān)專業(yè)開設(shè)集成電路芯片設(shè)計(jì)技術(shù)課程，根據(jù)近兩年的教學(xué)情況來(lái)看，取得良好的效果。該課程的主要特點(diǎn)如下。優(yōu)化的理論授課內(nèi)容

1）集成電路芯片設(shè)計(jì)概論：介紹IC設(shè)計(jì)的基本概念、IC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)、IC技術(shù)的發(fā)展和趨勢(shì)等內(nèi)容。使學(xué)員對(duì)IC設(shè)計(jì)技術(shù)有一個(gè)大概而全面的了解，了解IC設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展歷程及基本情況，理解IC設(shè)計(jì)技術(shù)的基本概念；了解IC設(shè)計(jì)發(fā)展趨勢(shì)和新技術(shù)，包括軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)、IC低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)、IC可重用設(shè)計(jì)技術(shù)等。

2）IC產(chǎn)業(yè)鏈及設(shè)計(jì)流程：介紹集成電路產(chǎn)業(yè)的歷史變革、目前形成的“四業(yè)分工”，以及數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程等內(nèi)容。使學(xué)員了解集成電路產(chǎn)業(yè)的變革和分工，了解設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試等環(huán)節(jié)的一些基本情況，了解數(shù)字IC的整個(gè)設(shè)計(jì)流程，包括代碼編寫與仿真、邏輯綜合與布局布線、時(shí)序驗(yàn)證與物理驗(yàn)證及芯片面積優(yōu)化、時(shí)鐘樹綜合、掃描鏈插入等內(nèi)容。

3）RTL硬件描述語(yǔ)言基礎(chǔ)：主要講授Verilog硬件描述語(yǔ)言的基本語(yǔ)法、描述方式、設(shè)計(jì)方法等內(nèi)容。使學(xué)員能夠初步掌握使用硬件描述語(yǔ)言進(jìn)行數(shù)字邏輯電路設(shè)計(jì)的基本語(yǔ)法，了解大型電路芯片的基本設(shè)計(jì)規(guī)則和設(shè)計(jì)方法，并通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)踐學(xué)習(xí)和鞏固硬件電路代碼編寫和調(diào)試能力。

4）系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：主要講授更高層次的集成電路芯片如片上系統(tǒng)（SoC）、片上網(wǎng)絡(luò)（NoC）的基本概念和集成設(shè)計(jì)方法。使學(xué)員初步了解大規(guī)模系統(tǒng)級(jí)芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)方法及主要片內(nèi)嵌入式處理器核。豐富的實(shí)踐操作內(nèi)容

1）Verilog代碼設(shè)計(jì)實(shí)踐：學(xué)習(xí)通過(guò)課下編碼、上機(jī)調(diào)試等方式，初步掌握使用Verilog硬件描述語(yǔ)言進(jìn)行基本數(shù)字邏輯電路設(shè)計(jì)的能力，并通過(guò)給定的IP核或代碼模塊的集成，掌握大型芯片電路的集成設(shè)計(jì)能力。

2）IC前端設(shè)計(jì)基礎(chǔ)實(shí)踐：依托Synopsys公司數(shù)字集成電路前端設(shè)計(jì)平臺(tái)DesignCompiler，使學(xué)員通過(guò)上機(jī)演練，初步掌握使用DesignCompiler進(jìn)行集成電路前端設(shè)計(jì)的流程和方法，主要包括RTL綜合、時(shí)序約束、時(shí)序優(yōu)化、可測(cè)性設(shè)計(jì)等內(nèi)容。

3）IC后端設(shè)計(jì)基礎(chǔ)實(shí)踐：依托Synopsys公司數(shù)字集成電路后端設(shè)計(jì)平臺(tái)ICCompiler，使學(xué)員通過(guò)上機(jī)演練，初步掌握使用ICCompiler進(jìn)行集成電路后端設(shè)計(jì)的流程和方法，主要包括后端設(shè)計(jì)準(zhǔn)備、版圖規(guī)劃與電源規(guī)劃、物理綜合與全局優(yōu)化、時(shí)鐘樹綜合、布線操作、物理驗(yàn)證與最終優(yōu)化等內(nèi)容。靈活的考核評(píng)價(jià)機(jī)制

1）IC設(shè)計(jì)基本知識(shí)筆試：通過(guò)閉卷考試的方式，考查學(xué)員隊(duì)IC設(shè)計(jì)的一些基本知識(shí)，如基本概念、基本設(shè)計(jì)流程、簡(jiǎn)單的代碼編寫等。

2）IC設(shè)計(jì)上機(jī)實(shí)踐操作：通過(guò)上機(jī)操作的形式，給定一個(gè)具體并相對(duì)簡(jiǎn)單的芯片設(shè)計(jì)代碼，要求學(xué)員使用Synopsys公司數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)前后端平臺(tái)，完成整個(gè)芯片的前后端設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程。

3）IC設(shè)計(jì)相關(guān)領(lǐng)域報(bào)告：通過(guò)撰寫報(bào)告的形式，要求學(xué)員查閱IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)，包括該領(lǐng)域的前沿研究技術(shù)、設(shè)計(jì)流程中相關(guān)技術(shù)點(diǎn)的深入研究、集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的發(fā)展歷程和趨勢(shì)等，撰寫相應(yīng)的專題報(bào)告。

3結(jié)語(yǔ)

篇(2)

集成電路是當(dāng)今信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的基礎(chǔ)和源動(dòng)力，已經(jīng)高度滲透與融合到國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的每個(gè)領(lǐng)域，其技術(shù)水平和發(fā)展規(guī)模已成為衡量一個(gè)國(guó)家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力和綜合國(guó)力的重要標(biāo)志之一[1]，美國(guó)更將其視為未來(lái)20年從根本上改造制造業(yè)的四大技術(shù)領(lǐng)域之首。我國(guó)擁有全球最大、增長(zhǎng)最快的集成電路市場(chǎng)，2013年規(guī)模達(dá)9166億元，占全球市場(chǎng)份額的50%左右。近年來(lái)，國(guó)家大力發(fā)展集成電路，在上海浦東等地建立了集成電路產(chǎn)業(yè)基地，對(duì)于集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試等方面的專門技術(shù)人才需求巨大。為了適應(yīng)產(chǎn)業(yè)需求，推進(jìn)我國(guó)集成電路發(fā)展，許多高校開設(shè)了電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)，以培養(yǎng)集成電路方向的專業(yè)人才。集成電路版圖設(shè)計(jì)是電路設(shè)計(jì)與集成電路工藝之間必不可少的環(huán)節(jié)。據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)，在從事集成電路設(shè)計(jì)工作的電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的應(yīng)屆畢業(yè)生中，由于具有更多的電路知識(shí)儲(chǔ)備，研究生的從業(yè)比例比本科生高出很多。而以集成電路版圖為代表包括集成電路測(cè)試以及工藝等與集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)的工作，相對(duì)而言對(duì)電路設(shè)計(jì)知識(shí)的要求低很多。因而集成電路版圖設(shè)計(jì)崗位對(duì)本科生而言更具競(jìng)爭(zhēng)力。在版圖設(shè)計(jì)崗位工作若干年知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的積累也將有利于從事集成電路設(shè)計(jì)工作。因此，版圖設(shè)計(jì)工程師的培養(yǎng)也成為了上海電力學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科人才培養(yǎng)的重要方向和辦學(xué)特色。本文根據(jù)上海電力學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)建設(shè)的目標(biāo)，結(jié)合本校人才培養(yǎng)和專業(yè)建設(shè)目標(biāo)，就集成電路版圖設(shè)計(jì)理論和實(shí)驗(yàn)教學(xué)環(huán)節(jié)進(jìn)行了探索和實(shí)踐。

一、優(yōu)化理論教學(xué)方法，豐富教學(xué)手段，突出課程特點(diǎn)

集成電路版圖作為一門電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)重要的專業(yè)課程，教學(xué)內(nèi)容與電子技術(shù)（模擬電路和數(shù)字電路）、半導(dǎo)體器件、集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)等先修課程中的電路理論、器件基礎(chǔ)和工藝原理等理論知識(shí)緊密聯(lián)系，同時(shí)版圖設(shè)計(jì)具有很強(qiáng)的實(shí)踐特點(diǎn)。因此，必須從本專業(yè)學(xué)生的實(shí)際特點(diǎn)和整個(gè)專業(yè)課程布局出發(fā)，注重課程與其他課程承前啟后，有機(jī)融合，摸索出一套實(shí)用有效的教學(xué)方法。在理論授課過(guò)程中從集成電路的設(shè)計(jì)流程入手，在CMOS集成電路和雙極集成電路基本工藝進(jìn)行概述的基礎(chǔ)上，從版圖基本單元到電路再到芯片循序漸進(jìn)地講授集成電路版圖結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)原理和方法，做到與上游知識(shí)點(diǎn)的融會(huì)貫通。

集成電路的規(guī)模已發(fā)展到片上系統(tǒng)（SOC）階段，教科書的更新速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于集成電路技術(shù)的發(fā)展速度。集成電路工藝線寬達(dá)到了納米量級(jí)，對(duì)于集成電路版圖設(shè)計(jì)在當(dāng)前工藝條件下出現(xiàn)的新問(wèn)題和新規(guī)則，通過(guò)查閱最新的文獻(xiàn)資料，向?qū)W生介紹版圖設(shè)計(jì)前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì)，開拓學(xué)生視野，提升學(xué)習(xí)熱情。在課堂教學(xué)中盡量減少冗長(zhǎng)的公式和繁復(fù)的理論推導(dǎo)，將理論講解和工程實(shí)踐相結(jié)合，通過(guò)工程案例使學(xué)生了解版圖設(shè)計(jì)是科學(xué)、技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)的有機(jī)結(jié)合。比如，在有關(guān)天線效應(yīng)的教學(xué)過(guò)程中針對(duì)一款采用中芯國(guó)際（SMIC）0.18um 1p6m工藝的雷達(dá)信號(hào)處理SOC 芯片，結(jié)合跳線法和反偏二極管的天線效應(yīng)消除方法，詳細(xì)闡述版圖設(shè)計(jì)中完全修正天線規(guī)則違例的關(guān)鍵步驟，極大地激發(fā)了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，收到了較好的教學(xué)效果。

集成電路版圖起著承接電路設(shè)計(jì)和芯片實(shí)現(xiàn)的重要作用。通過(guò)版圖設(shè)計(jì)，可以將立體的電路轉(zhuǎn)化為二維的平面幾何圖形，再通過(guò)工藝加工轉(zhuǎn)化為基于半導(dǎo)體硅材料的立體結(jié)構(gòu)[2]。集成電路版圖設(shè)計(jì)是集成電路流程中的重要環(huán)節(jié)，與集成電路工藝密切相關(guān)。為了讓學(xué)生獲得直觀、準(zhǔn)確和清楚的認(rèn)識(shí)，制作了形象生動(dòng)、圖文并茂的多媒體教學(xué)課件，將集成電路典型的設(shè)計(jì)流程、雙極和CMOS集成電路工藝流程、芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)、版圖的層次等內(nèi)容以圖片、Flash動(dòng)畫、視頻等形式進(jìn)行展示。

版圖包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)[3]。掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸。因此版圖上的幾何圖形尺寸與芯片上物理層的尺寸直接相關(guān)。而集成電路制造廠家根據(jù)版圖數(shù)據(jù)來(lái)制造掩膜，對(duì)于同種工藝各個(gè)foundry廠商所提供的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則各不相同[4]。教學(xué)實(shí)踐中注意將先進(jìn)的典型芯片版圖設(shè)計(jì)實(shí)例引入課堂，例如舉出臺(tái)灣積體電路制造公司（TSMC）的45nm CMOS工藝的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的芯片版圖實(shí)例，讓學(xué)生從當(dāng)今業(yè)界實(shí)際制造芯片的角度學(xué)習(xí)和掌握版圖設(shè)計(jì)的規(guī)則，同時(shí)切實(shí)感受到模擬版圖和數(shù)字版圖設(shè)計(jì)的藝術(shù)。

二、利用業(yè)界主流EDA工具，構(gòu)建基于完整版圖設(shè)計(jì)流程的實(shí)驗(yàn)體系

集成電路版圖設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)采用了Cadence公司的EDA工具進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)。Cadence的EDA產(chǎn)品涵蓋了電子設(shè)計(jì)的整個(gè)流程，包括系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)、功能驗(yàn)證、集成電路（IC）綜合及布局布線、物理驗(yàn)證、PCB設(shè)計(jì)和硬件仿真建模模擬、混合信號(hào)及射頻IC設(shè)計(jì)、全定制IC設(shè)計(jì)等。全球知名半導(dǎo)體與電子系統(tǒng)公司如AMD、NEC、三星、飛利浦均將Cadence軟件作為其全球設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)。將業(yè)界主流的EDA設(shè)計(jì)軟件引入實(shí)驗(yàn)教學(xué)環(huán)節(jié)，有利于學(xué)生畢業(yè)后很快適應(yīng)崗位，盡快進(jìn)入角色。

專業(yè)實(shí)驗(yàn)室配備了多臺(tái)高性能Sun服務(wù)器、工作站以及60臺(tái)供學(xué)生實(shí)驗(yàn)用的PC機(jī)。服務(wù)器中安裝的Cadence 工具主要包括：Verilog HDL的仿真工具Verilog-X、電路圖設(shè)計(jì)工具Composer、電路模擬工具Analog Artist、版圖設(shè)計(jì)工具Virtuoso Layout Editing、版圖驗(yàn)證工具Dracula 和Diva、自動(dòng)布局布線工具Preview和Silicon Ensemble。

Cadence軟件是按照庫(kù)（Library）、單元（Cell）、和視圖（View）的層次實(shí)現(xiàn)對(duì)文件的管理。庫(kù)、單元和視圖三者之間的關(guān)系為庫(kù)文件是一組單元的集合，包含著各個(gè)單元的不同視圖。庫(kù)文件包括技術(shù)庫(kù)和設(shè)計(jì)庫(kù)兩種，設(shè)計(jì)庫(kù)是針對(duì)用戶設(shè)立，不同的用戶可以有不同的設(shè)計(jì)庫(kù)。而技術(shù)庫(kù)是針對(duì)工藝設(shè)立，不同特征尺寸的工藝、不同的芯片制造商的技術(shù)庫(kù)不同。為了讓學(xué)生在掌握主流EDA工具使用的同時(shí)對(duì)版圖設(shè)計(jì)流程有準(zhǔn)確、深入的理解，安排針對(duì)無(wú)錫上華公司0.6um兩層多晶硅兩層金屬（Double Poly Double Metal）混合信號(hào)CMOS工藝的一系列實(shí)驗(yàn)讓學(xué)生掌握包括從電路圖的建立、版圖建立與編輯、電學(xué)規(guī)則檢查（ERC），設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）、到電路圖-版圖一致性檢查（LVS）的完整的版圖設(shè)計(jì)流程[5]。通過(guò)完整的基于設(shè)計(jì)流程的版圖實(shí)驗(yàn)使學(xué)生能較好地掌握電路設(shè)計(jì)工具Composer、版圖設(shè)計(jì)工具Virtuoso Layout Editor以及版圖驗(yàn)證工具Dracula和Diva的使用，同時(shí)對(duì)版圖設(shè)計(jì)的關(guān)鍵步驟形成清晰的認(rèn)識(shí)。

以下以CMOS與非門為例，介紹基于一個(gè)完整的數(shù)字版圖設(shè)計(jì)流程的教學(xué)實(shí)例。

在CMOS與非門的版圖設(shè)計(jì)中，首先要求學(xué)生建立設(shè)計(jì)庫(kù)和技術(shù)庫(kù)，在技術(shù)庫(kù)中加載CSMC 0.6um的工藝的技術(shù)文件，將設(shè)計(jì)庫(kù)與技術(shù)庫(kù)進(jìn)行關(guān)聯(lián)。然后在設(shè)計(jì)庫(kù)中用Composer中建立相應(yīng)的電路原理圖（schematic），進(jìn)行ERC檢查。再根據(jù)電路原理圖用Virtuoso Layout Editor工具繪制對(duì)應(yīng)的版圖（layout）。版圖繪制步驟依次為MOS晶體管的有源區(qū)、多晶硅柵極、MOS管源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔、P+注入、N阱、N阱接觸、N+注入、襯底接觸、金屬連線、電源線、地線、輸入及輸出。基本的版圖繪制完成之后，將輸入、輸出端口以及電源線和地線的名稱標(biāo)注于版圖的適當(dāng)位置處，再在Dracula工具中利用幾何設(shè)計(jì)規(guī)則文件進(jìn)行DRC驗(yàn)證。然后利用GDS版圖數(shù)據(jù)與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行版圖與原理圖一致性檢查（LVS），修改其中的錯(cuò)誤并按最小面積優(yōu)化版圖，最后版圖全部通過(guò)檢查，設(shè)計(jì)完成。圖1和圖2分別給出了CMOS與非門的原理圖和版圖。

篇(3)

【關(guān)鍵詞】集成電路； 生產(chǎn)； 測(cè)試； 技術(shù)

集成電路測(cè)試貫穿在集成電路設(shè)計(jì)、芯片生產(chǎn)、封裝以及集成電路應(yīng)用的全過(guò)程，因此，測(cè)試在集成電路生產(chǎn)成本中占有很大比例。而在測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試向量的生成又是最主要和最復(fù)雜的部分，且對(duì)測(cè)試效率的要求也越來(lái)越高，這就要求有性能良好的測(cè)試系統(tǒng)和高效的測(cè)試算法。

一、數(shù)字集成電路測(cè)試的基本概念

根據(jù)有關(guān)數(shù)字電路的測(cè)試技術(shù)，由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)取決于數(shù)字邏輯系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和數(shù)字電路的模型，因此測(cè)試輸入信號(hào)和觀察設(shè)備必須根據(jù)被測(cè)試系統(tǒng)來(lái)決定。我們將數(shù)字電路的可測(cè)性定義如下：對(duì)于數(shù)字電路系統(tǒng)，如果每一個(gè)輸出的完備信號(hào)都具有邏輯結(jié)構(gòu)唯一的代表性，輸出完備信號(hào)集合具有邏輯結(jié)構(gòu)覆蓋性，則說(shuō)系統(tǒng)具有可測(cè)性。

二、數(shù)字集成電路測(cè)試的特點(diǎn)

（一）數(shù)字電路測(cè)試的可控性 系統(tǒng)的可靠性需要每一個(gè)完備輸入信號(hào)，都會(huì)有一個(gè)完備輸出信號(hào)相對(duì)性。也就是說(shuō)，只要給定一個(gè)完備信號(hào)作為輸入，就可以預(yù)知系統(tǒng)在此信號(hào)激勵(lì)下的響應(yīng)。換句話說(shuō)，對(duì)于可控性數(shù)字電路，系統(tǒng)的行為完全可以通過(guò)輸入進(jìn)行控制。從數(shù)字邏輯系統(tǒng)的分析理論可以看出，具有可控性的數(shù)字電路，由于輸入與輸出完備信號(hào)之間存在一一映射關(guān)系，因此可以根據(jù)完備信號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系得到相應(yīng)的邏輯。

（二）數(shù)字電路測(cè)試的可測(cè)性 數(shù)字電路的設(shè)計(jì)，是要實(shí)現(xiàn)相應(yīng)數(shù)字邏輯系統(tǒng)的邏輯行為功能，為了證明數(shù)字電路的邏輯要求，就必須對(duì)數(shù)字電路進(jìn)行相應(yīng)的測(cè)試，通過(guò)測(cè)試結(jié)果來(lái)證明設(shè)計(jì)結(jié)果的正確性。如果一個(gè)系統(tǒng)在設(shè)計(jì)上屬于優(yōu)秀，從理論上完成了對(duì)應(yīng)數(shù)字邏輯系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，但卻無(wú)法用實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明證實(shí)，則這個(gè)設(shè)計(jì)是失敗的。因此，測(cè)試對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是十分重要的。從另一個(gè)角度來(lái)說(shuō)，測(cè)試就是指數(shù)字系統(tǒng)的狀態(tài)和邏輯行為能否被觀察到，同時(shí)，所有的測(cè)試結(jié)果必須能與數(shù)字電路的邏輯結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。也就是說(shuō)，測(cè)試的結(jié)果必須具有邏輯結(jié)構(gòu)代表性和邏輯結(jié)構(gòu)覆蓋性。

三、數(shù)字電路測(cè)驗(yàn)的作用

與其它任何產(chǎn)品一樣，數(shù)字電路產(chǎn)出來(lái)以后要進(jìn)行測(cè)試，以便確認(rèn)數(shù)字電路是否滿足要求。數(shù)字電路測(cè)試至少有以下三個(gè)方面的作用：

（一）設(shè)計(jì)驗(yàn)證 今天數(shù)字電路的規(guī)模已經(jīng)很大，無(wú)論是從經(jīng)濟(jì)的角度，還是從時(shí)間的角度，都不允許我們?cè)谝粋€(gè)芯片制造出來(lái)之后，才用現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)的方法對(duì)這個(gè)“樣機(jī)”進(jìn)行測(cè)試，而必須是在計(jì)算機(jī)上用測(cè)試的方法對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行驗(yàn)證，這樣既省錢，又省力。

（二）產(chǎn)品檢驗(yàn) 數(shù)字電路生產(chǎn)中的每一個(gè)環(huán)節(jié)都可能出現(xiàn)錯(cuò)誤，最終導(dǎo)致數(shù)字電路不合格。因此，在數(shù)字電路生產(chǎn)的全過(guò)程中均需要測(cè)試。產(chǎn)品只有經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試后才能出廠。組裝廠家對(duì)于買進(jìn)來(lái)的各種數(shù)字電路或其它元件，在它們被裝入系統(tǒng)之前也經(jīng)常進(jìn)行測(cè)試。

（三）運(yùn)行維護(hù) 為了保證運(yùn)行中的系統(tǒng)能可靠地工作，必須定期或不定期地進(jìn)行維護(hù)。而維護(hù)之前首先要進(jìn)行測(cè)試，看看是否存在故障。如果系統(tǒng)存在故障，則還需要進(jìn)行故障定位，至少需要知道故障出現(xiàn)在那一塊電路板上，以便進(jìn)行維修或更換。

由此可以看出，數(shù)字電路測(cè)試貫穿在數(shù)字電路設(shè)計(jì)、制造及應(yīng)用的全過(guò)程，被認(rèn)為是數(shù)字電路產(chǎn)業(yè)中一個(gè)重要的組成部分。有人預(yù)計(jì)，到2016年，IC測(cè)試所需的費(fèi)用將在設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試總費(fèi)用中占80%-90%的比例。

四、數(shù)字電路測(cè)試方法概述

（一）驗(yàn)證測(cè)試 當(dāng)一款新的芯片第一次被設(shè)計(jì)并生產(chǎn)出來(lái)時(shí)，首先要接受驗(yàn)證測(cè)試。在這一階段，將會(huì)進(jìn)行全面的功能測(cè)試和交流（AC）及直流（DC）參數(shù)測(cè)試。通過(guò)驗(yàn)證測(cè)試，可以診斷和修改設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，測(cè)量出芯片的各種電氣參數(shù)，并開發(fā)出將在生產(chǎn)中使用的測(cè)試流程。

（二）生產(chǎn)測(cè)試 當(dāng)數(shù)字電路的設(shè)計(jì)方案通過(guò)了驗(yàn)證測(cè)試，進(jìn)入量產(chǎn)階段之后，將利用前一階段調(diào)試好的流程進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試。生產(chǎn)測(cè)試的目的就是要明確地做出被測(cè)數(shù)字電路是否通過(guò)測(cè)試的決定。因?yàn)槊繅K數(shù)字電路都要進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試，所以降低測(cè)試成本是這一階段的首要問(wèn)題。因此，生產(chǎn)測(cè)試所使用的測(cè)試輸入數(shù)（測(cè)試集）要盡可能的小，同時(shí)還必須有足夠高的故障覆蓋率。

（三）老化測(cè)試 每一塊通過(guò)了生產(chǎn)測(cè)試的數(shù)字電路并不完全相同，其中有一些可能還有這樣或那樣的問(wèn)題，只是我們暫時(shí)還沒有發(fā)現(xiàn)，最典型的情況就是同一型號(hào)數(shù)字電路的使用壽命大不相同。老化測(cè)試為了保證產(chǎn)品的可靠性，通過(guò)調(diào)高供電電壓、延長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間、提高運(yùn)行環(huán)境溫度等方式，將不合格的數(shù)字電路篩選出來(lái)。

（四）接受測(cè)試 當(dāng)數(shù)字電路送到用戶手中后，用戶將進(jìn)行再一次的測(cè)試。如系統(tǒng)集成商在組裝系統(tǒng)之前，會(huì)對(duì)買回來(lái)的數(shù)字電路和其它各個(gè)部件進(jìn)行測(cè)試。只有確認(rèn)無(wú)誤后，才能把它們裝入系統(tǒng)。

五、數(shù)字電路測(cè)試的設(shè)計(jì)

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明，檢測(cè)一個(gè)故障并排除它，所需要的代價(jià)若以芯片級(jí)為1的話，則電路板級(jí)為10，系統(tǒng)級(jí)為102，使用現(xiàn)場(chǎng)級(jí)為103。隨著集成電路技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)集成電路的測(cè)試變得越來(lái)越困難。雖然對(duì)測(cè)試?yán)碚摵头椒ǖ难芯恳恢睕]有間斷或停止，但還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足集成電路發(fā)展的需求。過(guò)去先由設(shè)計(jì)人員根據(jù)功能、速度和電性能要求來(lái)設(shè)計(jì)電路，然后再由測(cè)試人員根據(jù)已設(shè)計(jì)好的電路制定測(cè)試方案，這種傳統(tǒng)的做法已經(jīng)不能適應(yīng)實(shí)際生產(chǎn)的需求。

篇(4)

【關(guān)鍵詞】D觸發(fā)器；半靜態(tài)；清零；版圖

A New D flip-flop of semi-static and clear

Zhao Junxia，Zhu Qiaoyan

（Sanjiang College，Nanjing，Jiangsu 210012;NanJing Top Power ASIC）

Abstract：For faster speed、lower power and smaller size,this paper analyzes several used D flip-flops.For the highest frequency and synthesizing their advantages and disadvantages，we design a new type D flip-flop of semi-static and clear.With CSMC 0.6μmN well CMOS process，the layout area is46.500×40.350(μm).The maximum trigger frequency is 356MHz.Using it we constitute the second divider and simulates successfully.

Key words：D flip-flop，semi-static，clear，layout

1.引言

觸發(fā)器是時(shí)序電路[1]，是在邏輯電路的移位、寄存和計(jì)數(shù)功能中被廣泛采用的一種存儲(chǔ)信息的功能部件[2]，它靠雙穩(wěn)態(tài)電路來(lái)保存信息。觸發(fā)器的種類很多[3]，CMOS D型觸發(fā)器是VLSI電路中最基本的也是應(yīng)用最普遍的，它被廣泛應(yīng)用于移位和寄存[4]。D觸發(fā)器的D代表延遲或數(shù)據(jù),它的輸出是發(fā)生在早于一個(gè)時(shí)鐘脈沖之前的D輸入的函數(shù)。在時(shí)鐘脈沖期間，在D輸入提供“1”會(huì)導(dǎo)致輸出變?yōu)?，否則輸出變?yōu)?。其真值表表明這種關(guān)系，其中Qn+1是時(shí)鐘脈沖以后的Q輸出，它取決于D的輸入狀態(tài)[4]。

常見的D觸發(fā)器有：同步D觸發(fā)器、主從型D觸發(fā)器、新型半靜態(tài)低功耗D觸發(fā)器等[5]，本文對(duì)他們的結(jié)構(gòu)、原理等方面進(jìn)行分析比較，綜合各自優(yōu)缺點(diǎn)，優(yōu)化最高頻率，設(shè)計(jì)出一款新型主從型D觸發(fā)器，經(jīng)仿真該觸發(fā)器的最高頻率為356MHz。

2.新型D觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)圖

為了減小與時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)聯(lián)的單元電路（如觸發(fā)器）的消耗，本文提出了一種新的半靜態(tài)觸發(fā)器結(jié)構(gòu)，并把其中的靜態(tài)鎖存器進(jìn)一步改進(jìn)為準(zhǔn)靜態(tài)型。

圖1是所設(shè)計(jì)的新型由CMOS傳輸門和反相器構(gòu)成的D觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)圖。反相器F1和傳輸門TG1、TG2組成了主觸發(fā)器，與非門F2和傳輸門TG3、TG4組成了從觸發(fā)器。TG1和TG3分別為主觸發(fā)器和從觸發(fā)器的輸入控制門。反相器F4對(duì)時(shí)鐘輸入信號(hào)CP進(jìn)行反相及緩沖，其輸出CP和CP'作為傳輸門的控制信號(hào)。

根據(jù)CMOS傳輸門的工作原理和圖中控制信號(hào)的極性標(biāo)注可知：當(dāng)傳輸門TG1、TG4導(dǎo)通時(shí)，TG2、TG3截止；反之，當(dāng)TG1、TG4截止時(shí)，TG2、TG3導(dǎo)通。

當(dāng)，時(shí)，TG1導(dǎo)通TG2，截止，D端輸入信號(hào)送入主觸發(fā)器中，使,，但這時(shí)主觸發(fā)器尚未形成反饋連接,不能自行保持。、跟隨D端的狀態(tài)變化；同時(shí)，由于TG3截止，TG4導(dǎo)通，所以從觸發(fā)器形成反饋連接，維持原狀態(tài)不變，而且它與主觸發(fā)器的聯(lián)系被TG3切斷。

當(dāng)?shù)纳仙氐竭_(dá)（即跳變?yōu)?，下降為0）時(shí)，TG1截止，TG2導(dǎo)通，切斷了D信號(hào)的輸入，由于F1的輸入電容存儲(chǔ)效應(yīng)，F(xiàn)1輸入端電壓不會(huì)立即消失，于是、在TG1截止前的狀態(tài)被保存下來(lái)；同時(shí)由于TG3導(dǎo)通、TG4截止，主觸發(fā)器的狀態(tài)通過(guò)TG3和F3送到了輸出端，使（CP上升沿到達(dá)時(shí)D的狀態(tài)），而。

在，期間，的狀態(tài)一直不會(huì)改變，直到下降沿到達(dá)時(shí)（即跳變?yōu)?，跳變?yōu)?），TG2、TG3又截止，TG1、TG4又導(dǎo)通，主觸發(fā)器又開始接收D端新數(shù)據(jù)，從觸發(fā)器維持已轉(zhuǎn)換后的狀態(tài)。

可見，這種觸發(fā)器的動(dòng)作特點(diǎn)是輸出端的狀態(tài)轉(zhuǎn)換發(fā)生在的上升沿，而且觸發(fā)器所保持的狀態(tài)僅僅取決于上升沿到達(dá)時(shí)的輸入狀態(tài)。正因?yàn)橛|發(fā)器輸出端狀態(tài)的轉(zhuǎn)換發(fā)生在的上升沿（即CP的上升沿，所以這是一個(gè)CP上升沿觸發(fā)的邊沿觸發(fā)器，CP上升沿為有效觸發(fā)沿，或稱CP上升沿為有效沿（下降沿為無(wú)效沿）。若將四個(gè)傳輸門的控制信號(hào)CP'和極性都換成相反的狀態(tài)，則CP下降沿為有效沿，而上升沿為無(wú)效沿。

3.D觸發(fā)器的電路

D觸發(fā)器的最高時(shí)鐘頻率受到以下兩個(gè)方面的限制：

（1）輸出（Q或Q~）波形上升和下降時(shí)間的限制。如果輸出的外接負(fù)載電容較大，則輸出的波形受到負(fù)載電容的影響，都具有一定的上升和下降時(shí)間。隨著時(shí)鐘頻率的提高，輸出頻率也要隨之提高。如果輸出波形由方波變?yōu)槿遣ǎ踔凛敵龇认陆担筒荒軡M足二分頻輸出。

（2）內(nèi)部信號(hào)傳輸時(shí)，所產(chǎn)生的內(nèi)部級(jí)延遲的限制。如果時(shí)鐘脈沖寬度不能滿足內(nèi)部級(jí)的時(shí)延，則輸出Q就不能成為時(shí)鐘脈沖的二分頻或輸出不穩(wěn)定。

為了要設(shè)計(jì)D型觸發(fā)器，首先要對(duì)觸發(fā)器內(nèi)部進(jìn)行時(shí)序分析，然后分析各級(jí)門在電路中所處的地位，進(jìn)行合理的時(shí)延分配。作為主觸發(fā)器，數(shù)據(jù)從D端輸入，必須在時(shí)鐘脈沖的后半周內(nèi)完成數(shù)據(jù)的傳輸，并保存在住觸發(fā)器中。

我們通過(guò)控制柵氧化層厚度來(lái)控制柵電容。用MOS器件的跨導(dǎo)和輸出電容的比值（稱之為速度優(yōu)值）來(lái)表征COMS倒相器的速度性能。當(dāng)增大CMOS倒相器的寬長(zhǎng)比時(shí)，就增大了跨導(dǎo)，能提高優(yōu)值；但寬長(zhǎng)比的增大，本級(jí)的輸出電容也隨之增大，反而降低了優(yōu)值。因而，計(jì)算一個(gè)合理的寬長(zhǎng)比，使跨導(dǎo)大，電容小，具有最佳的速度優(yōu)值。為了使CMOS倒相器獲得最佳的性能，采用對(duì)稱設(shè)計(jì)，使倒相器中的NMOS管和PMOS管性能完全對(duì)稱。

新型的主從型D觸發(fā)器的電路圖如圖2所示。在時(shí)鐘CP周期為60ns，幅度U=5v的方波信號(hào)時(shí)所仿真到的工作波形如圖3所示，Q在CP上升沿翻轉(zhuǎn)，在下降沿不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，保持原狀態(tài)不變，實(shí)現(xiàn)二分頻，該觸發(fā)器的最高頻率為356MHz，達(dá)到D觸發(fā)器的設(shè)計(jì)要求[6]：對(duì)應(yīng)于每一CP信號(hào)有效沿（上升沿），輸出狀態(tài)翻轉(zhuǎn)一次，計(jì)數(shù)工作正常。

4.版圖設(shè)計(jì)

集成電路版圖是電路系統(tǒng)與集成電路工藝之間的中間環(huán)節(jié)，是一個(gè)必不可少的重要環(huán)節(jié)[7]，版圖的好壞直接影響電路生產(chǎn)的成品率及可靠性。好的設(shè)計(jì)不但本身很少帶來(lái)不可靠因素，而且對(duì)于工藝上難以避免的問(wèn)題，也可預(yù)防或減弱其影響。通過(guò)集成電路版圖設(shè)計(jì)，可以將立體的電路系統(tǒng)變?yōu)橐粋€(gè)二維的平面版圖，再經(jīng)過(guò)工藝加工還原為基于硅材料的立體結(jié)構(gòu)[7]。

本文采用華潤(rùn)上華0.6μmN阱CMOS工藝在Cadence平臺(tái)上設(shè)計(jì)D觸發(fā)器構(gòu)成的二分頻器的版圖[9]，如圖4所示，由N Well圖層、Active圖層、N Select圖層、P Select圖層、Poly圖層、Metal 1圖層、Active Contact圖層等構(gòu)成，其芯片面積為46.500×40.350(μm)。

5.小結(jié)

論文中所設(shè)計(jì)的一款新型半靜態(tài)帶清零的D觸發(fā)器芯片通過(guò)理論分析[10]與計(jì)算機(jī)模擬表明了新型D觸發(fā)器與以往單鎖存器D觸發(fā)器結(jié)構(gòu)相比具有以下特點(diǎn)：1）省去了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中的時(shí)鐘鏈，減少了時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的功耗及時(shí)鐘信號(hào)的延遲；2）使用的晶體管數(shù)少，只為傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的1/2，有效地減少芯片地占用面積；3）采用了動(dòng)態(tài)鎖存器結(jié)構(gòu)，使之獲得更低的功耗及占用更小的芯片面積；4）降低功耗效果顯著。

由于在深亞微米情況下，存在較大的漏電流或亞閾值電流[7]，因此半靜態(tài)觸發(fā)器的應(yīng)用會(huì)在某些場(chǎng)合受到一定的限制。

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篇(5)

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)、中芯國(guó)際董事長(zhǎng)江上舟同志因病于2011年6月27日不幸逝世，享年64歲。

江上舟同志是上海芯片產(chǎn)業(yè)的奠基人、國(guó)家大飛機(jī)項(xiàng)目的啟動(dòng)者之一，推動(dòng)了包括大飛機(jī)和半導(dǎo)體在內(nèi)的多個(gè)重大科技項(xiàng)目。江上舟同志曾在海南省、上海市政府部門擔(dān)任重要領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)。

江上舟同志一生為推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作出了突出貢獻(xiàn)，他的逝世是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界的重大損失，也是國(guó)家科技界的重大損失。（本刊編輯：黃友庚）

全國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試研討會(huì)

在煙臺(tái)舉行

第九屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)日前在山東省煙臺(tái)市開發(fā)區(qū)召開。此次會(huì)議聚集了400多位國(guó)內(nèi)外各大半導(dǎo)體企業(yè)、科研院所、高校的專家學(xué)者，就如何促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)更快更好發(fā)展進(jìn)行了深入研討與交流。

會(huì)議重點(diǎn)介紹了我國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)調(diào)研、3D封裝技術(shù)、TSV技術(shù)、綠色封裝技術(shù)、封裝可靠性與測(cè)試技術(shù)、表面組裝與高密度互連技術(shù)、封裝基板制造技術(shù)、先進(jìn)封裝設(shè)備、封裝材料等及其市場(chǎng)走向與應(yīng)對(duì)措施。這是我國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試業(yè)界的重要盛會(huì)，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈之間的一個(gè)極具意義的交流平臺(tái)。

2010年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在2009年緩慢復(fù)蘇的基礎(chǔ)上，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。隨著芯片集成度的極大提高，高端封裝產(chǎn)品的技術(shù)含量日重，封裝測(cè)試的成本在集成電路成本中所占比重加大，并且受集成電路價(jià)格波動(dòng)的影響較小。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)畢克允副理事長(zhǎng)介紹，面對(duì)這一形勢(shì)，有必要提高對(duì)發(fā)展半導(dǎo)體封裝測(cè)試業(yè)的認(rèn)識(shí)，充分發(fā)揮我國(guó)的成本優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)對(duì)封裝測(cè)試業(yè)的研發(fā)支持，提高創(chuàng)新能力鼓勵(lì)資源整合，擴(kuò)大國(guó)際合作，在我國(guó)培育出全球性半導(dǎo)體封測(cè)大公司。（來(lái)自中半?yún)f(xié)封裝分會(huì)）

2011中國(guó)通信集成電路技術(shù)

與應(yīng)用研討會(huì)9月蘇州召開

為進(jìn)一步推進(jìn)集成電路技術(shù)的進(jìn)步，促進(jìn)通信、集成電路與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展，中國(guó)通信學(xué)會(huì)通信專用集成電路委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)通信學(xué)分會(huì)定于2011年9月22-23日在蘇州舉辦“2011中國(guó)通信集成電路技術(shù)與應(yīng)用研討會(huì)暨物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用論壇”。

本次會(huì)議以“創(chuàng)新應(yīng)用與融合發(fā)展”為主題，圍繞通信集成電路技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，重點(diǎn)研討集成電路的技術(shù)發(fā)展，以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)通信產(chǎn)業(yè)、集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的機(jī)遇。會(huì)議期間將舉辦產(chǎn)品應(yīng)用展示，集中展示集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)以及在通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。

自2003年起，“中國(guó)通信集成電路技術(shù)研討會(huì)”被確定為每年一屆的行業(yè)例會(huì)，曾先后在昆明、杭州、成都、大連、西安、蘇州、上海、武漢等地成功舉辦，并贏得了與會(huì)者的廣泛認(rèn)同，已經(jīng)成為集成電路行業(yè)和通信行業(yè)非常關(guān)注的一項(xiàng)重要技術(shù)活動(dòng)，依托中國(guó)電子學(xué)會(huì)和中國(guó)通信學(xué)會(huì)這兩大資源平臺(tái)，使該活動(dòng)匯集了國(guó)內(nèi)外主要的集成電路企業(yè)和通信廠商，形成了產(chǎn)業(yè)間技術(shù)與設(shè)計(jì)應(yīng)用的互動(dòng)交流平臺(tái)。（本刊編輯：黃友庚）

2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)

（ICCAD 2011）11月西安召開

為了發(fā)揮西安深厚的科研優(yōu)勢(shì)，充分展示東西部產(chǎn)業(yè)資源的各自優(yōu)勢(shì)，培育核心技術(shù)，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)，尤其是設(shè)計(jì)業(yè)做強(qiáng)做大，實(shí)現(xiàn)下一個(gè)十年跨越式發(fā)展，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)定于2011年11月17日-18日在西安舉辦“2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)暨中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)十年成就展”。

本次年會(huì)以“優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化快速發(fā)展”為主題，積極探討集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的互動(dòng)，促進(jìn)我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)持續(xù)、快速、健康地發(fā)展。大會(huì)將為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的企業(yè)營(yíng)造一個(gè)交流與合作的良好平臺(tái)，為世界各地和港、澳、臺(tái)的同行以及相關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì)、中介組織等構(gòu)筑一個(gè)與中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在技術(shù)、市場(chǎng)、應(yīng)用、投資等領(lǐng)域互換信息、探討合作的交流平臺(tái)。同時(shí)，大會(huì)對(duì)于幫助本土產(chǎn)業(yè)構(gòu)建高端交流平臺(tái)和企業(yè)合作機(jī)遇具有舉足輕重的意義，必將對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)整合，提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)規(guī)模化快速發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。（來(lái)自中半?yún)f(xié)設(shè)計(jì)分會(huì)）

甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)目標(biāo)鎖定：

“十二五”末超過(guò)120億塊

甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展已駛?cè)搿翱燔嚨馈保杭呻娐吩骷庋b產(chǎn)業(yè)規(guī)模將在“十二五”末力爭(zhēng)達(dá)到120億塊以上，實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入45億元，年均增速在30％以上。

據(jù)甘肅省工業(yè)和信息化委員會(huì)透露，在國(guó)家和地方一系列政策支持下，甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)近幾年規(guī)模不斷擴(kuò)大。“十一五”期間，產(chǎn)業(yè)規(guī)模年均增長(zhǎng)40.2％，主營(yíng)業(yè)務(wù)收入年均增長(zhǎng)32.2％，利潤(rùn)總額年均增長(zhǎng)27.6％。2010年，甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值18.12億元，同比增長(zhǎng)43％；實(shí)現(xiàn)工業(yè)銷售產(chǎn)值17.46億元，同比增長(zhǎng)51％。在集成電路生產(chǎn)企業(yè)中，“領(lǐng)頭羊”華天電子集團(tuán)年封裝能力由10年前的800萬(wàn)塊增加到目前的50億塊以上，躋身國(guó)內(nèi)同行業(yè)內(nèi)資企業(yè)前三位。

同時(shí)，甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力亦水漲船高。近年來(lái)，先后完成數(shù)百項(xiàng)重大技改、重點(diǎn)工程項(xiàng)目及重點(diǎn)新產(chǎn)品，為近百項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)工程提供了大量可靠的集成電路產(chǎn)品，70多個(gè)系列和產(chǎn)品獲得國(guó)家重大科技成果、科技進(jìn)步等獎(jiǎng)項(xiàng)，建成1個(gè)國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心和2個(gè)省級(jí)研發(fā)中心，研發(fā)人員占到從業(yè)人員總數(shù)的近23％。

據(jù)介紹，針對(duì)產(chǎn)業(yè)總量偏少、競(jìng)爭(zhēng)能力較弱、缺乏區(qū)位優(yōu)勢(shì)等突出問(wèn)題，甘肅將在“十二五”期間力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品由單一向多元的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平由中低端向高端轉(zhuǎn)變，建成以天水、蘭州、平?jīng)鰹楹诵牡奈㈦娮印㈦娬婵掌骷④姽る娮拥?大科研生產(chǎn)基地，培育出2-3個(gè)效益突出、收入過(guò)10億元、具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)。（來(lái)自新浪網(wǎng)）

2011年全球半導(dǎo)體資本

設(shè)備支出將達(dá)448億美元

據(jù)技術(shù)研究和咨詢公司Gartner預(yù)測(cè)，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)過(guò)剩修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求，將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備支出略有下滑。

Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示：“盡管日本的災(zāi)難性地震威脅將破壞電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈，但自我們?cè)?011年第一季度的預(yù)測(cè)以來(lái)，資本支出和設(shè)備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力，此次地震的影響已降低到最小程度。”（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

英飛凌創(chuàng)新電源管理產(chǎn)品

亮相PCIM Asia 2011

作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌在上海召開的2011 PCIM亞洲展覽會(huì)(2011年6月21日至23日)上展示了最新的IGBT技術(shù)、CoolMOSTM CFD系列、高端功率二極管、晶閘管產(chǎn)品及各種為新能源功率變換準(zhǔn)備的功率組件等。

英飛凌的逆導(dǎo)型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計(jì)出更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統(tǒng)更低。

英飛凌最新推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽(yáng)能設(shè)備、電信機(jī)房開關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度。

英飛凌新推出的60V至150V CanPAK，進(jìn)一步完善了其OptiMOS功率MOSFET產(chǎn)品陣容。同時(shí)，英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)充了第二代碳化硅肖特基二極管，推出了采用新的TO-247HC（長(zhǎng)爬電距離）封裝的1200V碳化硅二極管。

英飛凌中國(guó)工業(yè)及多元化電子市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理馬國(guó)偉先生表示：“英飛凌的節(jié)能產(chǎn)品，可以更好地降低成本，全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求，同時(shí)為我們的客戶帶來(lái)明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”（本刊編輯：胡 ）

國(guó)民技術(shù)：雙界面

IC卡芯片實(shí)現(xiàn)三大創(chuàng)新

由國(guó)民技術(shù)推出的高安全性雙界面IC卡芯片Z8HCR的成功研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化，Z8HCR的誕生將填補(bǔ)我國(guó)商用密碼產(chǎn)品在非接觸CPU卡上的空白，打破了外國(guó)對(duì)此技術(shù)的限制，為我國(guó)民族產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作出了貢獻(xiàn)。

據(jù)國(guó)民技術(shù)相關(guān)人士介紹，Z8HCR實(shí)現(xiàn)了三大創(chuàng)新，雙界面是該芯片的一個(gè)創(chuàng)新點(diǎn)，目前國(guó)內(nèi)還未有帶非接觸式接口與接觸式接口的同類產(chǎn)品，如何控制在不同模式下的電源問(wèn)題，是該項(xiàng)目能夠成功實(shí)施的關(guān)鍵。另外，高安全性是該芯片的另一個(gè)創(chuàng)新點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)算法的引入，不僅提高了芯片本身的安全性，也為該領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化提供了技術(shù)保證。此外，高性能是該芯片重要指標(biāo)，此芯片立足于達(dá)到國(guó)外芯片的性能要求，且部分超越國(guó)外芯片，可支持多應(yīng)用。

Z8HCR可廣泛應(yīng)用于電子政務(wù)、電子商務(wù)、電子防偽等多個(gè)領(lǐng)域。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

展訊新品 2G成重心

展訊近日了三款極具性價(jià)比的GSM芯片，包括面向終端采用ARM9內(nèi)核的SC6800H，以及兩款面向低端市場(chǎng)的SC6610和SC6620。

如何普及移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)，就是要降低成本，使每個(gè)用戶都能消費(fèi)得起，其次是要提高性能。展訊市場(chǎng)副總裁康一博士表示，“對(duì)于低端產(chǎn)品而言，其核心競(jìng)爭(zhēng)力是降低成本。我們把一些用于高端手機(jī)的手段用于低端手機(jī)。”

在康一看來(lái)，如果將iPhone看作“奔馳”、“寶馬”，那么奔馳寶馬是很難讓移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)得到普及。

展訊內(nèi)部人士表示，全球很多不發(fā)達(dá)的地區(qū)，有很多人現(xiàn)在用的手機(jī)非常簡(jiǎn)單，甚至還有用戶根本沒用過(guò)手機(jī)，跟移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展“搭不上邊”，“6610和6620的尺寸很小，性價(jià)比比較高，可滿足國(guó)內(nèi)及海外新興市場(chǎng)低端手機(jī)市場(chǎng)需求。”

據(jù)悉，展訊SC6610和SC6620將多媒體加速器、觸摸屏背光、射頻接口都集成到了芯片上，使得產(chǎn)品在成本上更具優(yōu)勢(shì)，而連接的簡(jiǎn)便也將大大縮短終端設(shè)計(jì)時(shí)間。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

同方微電子成功開發(fā)

出雙界面銀行IC卡產(chǎn)品

上海華虹NEC電子有限公司日前宣布，北京同方微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“同方微電子”）基于公司成熟的0.13微米嵌入式存儲(chǔ)器工藝，成功地開發(fā)出了高安全性和高可靠性的雙界面銀行IC卡產(chǎn)品。該產(chǎn)品將有力地配合并推進(jìn)國(guó)家“十二五”期間金融IC卡的遷移和應(yīng)用，促進(jìn)國(guó)內(nèi)銀行IC卡的產(chǎn)業(yè)升級(jí)和可持續(xù)發(fā)展。

為了配合國(guó)家“十二五”期間金融IC卡推廣工作的順利進(jìn)行，2010年上半年華虹NEC啟動(dòng)了針對(duì)雙界面銀行IC卡產(chǎn)品的工藝開發(fā)與IP配套升級(jí)，歷時(shí)半年時(shí)間，于2011年初完成了工藝的硅驗(yàn)證工作，工藝特性完全滿足銀行IC卡極其嚴(yán)格的高安全性和高可靠性的設(shè)計(jì)要求。同方微電子作為國(guó)內(nèi)銀行IC卡的主要參與設(shè)計(jì)廠商，基于華虹NEC升級(jí)改造后的0.13微米嵌入式存儲(chǔ)器工藝，采用創(chuàng)新的設(shè)計(jì)理念，在短短半年內(nèi)就完成了全新的雙界面銀行IC卡的設(shè)計(jì)、流片和驗(yàn)證工作。目前，該產(chǎn)品采用華虹NEC高可靠性的EEPROM IP，已經(jīng)完成了全面的功能評(píng)價(jià)，實(shí)測(cè)性能達(dá)到了同行業(yè)先進(jìn)水平。（來(lái)自華虹NEC）

中國(guó)微電子推出革命性

和諧統(tǒng)調(diào)處理器技術(shù)

中國(guó)微電子科技集團(tuán)有限公司日前公布推出一項(xiàng)革命性手持移動(dòng)終端的嶄新突破性技術(shù)，和諧統(tǒng)調(diào)處理器（Harmony Unified Processor）技術(shù)，主要針對(duì)中國(guó)流動(dòng)裝置市場(chǎng)。

和諧統(tǒng)調(diào)處理器技術(shù)把兩種不同類型的處理器，中央處理器（CPU）和圖像處理器（GPU）統(tǒng)一在一個(gè)核芯內(nèi)，同時(shí)結(jié)合了多線程虛擬管線（MVP）、平行運(yùn)算內(nèi)核、獨(dú)立的指令集架構(gòu)、優(yōu)化的編譯器、以及靈活切換的動(dòng)態(tài)負(fù)載均衡等新技術(shù)；這嶄新科技將會(huì)是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展中的里程碑，也為移動(dòng)計(jì)算和移動(dòng)通訊領(lǐng)域帶來(lái)更具成本效益及低功耗等優(yōu)點(diǎn)的新產(chǎn)品。

具備和諧統(tǒng)調(diào)處理器技術(shù)的硅片現(xiàn)已完成生產(chǎn)，并進(jìn)入封裝測(cè)試階段，而系統(tǒng)單芯片制成品主要針對(duì)正蓬勃發(fā)展的Android平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)，預(yù)期于本年底前開始量產(chǎn)。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片驗(yàn)證成功

燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。

燦芯半導(dǎo)體與新思科技有限公司（Synopsys,Inc.,）及中芯國(guó)際深度合作，使?fàn)N芯自主研發(fā)的40nm芯片一次性流片成功。這顆芯片集成了Synopsys Design Ware嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)，以及中芯國(guó)際自主研發(fā)的PLL、I/O等關(guān)鍵IP部件，成功驗(yàn)證了燦芯半導(dǎo)體在40nm工藝線上的前端和后端設(shè)計(jì)流程。（來(lái)自燦芯半導(dǎo)體）

飛思卡爾32位MCU出新品

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出新的32位Qorivva微控制器（MCU），該產(chǎn)品基于Power Architecture技術(shù)，目的是使過(guò)去只有在豪華汽車中才能見到的環(huán)繞攝像泊車輔助系統(tǒng)變得更加經(jīng)濟(jì)適用并普及到更廣泛的車型中。Qorivva MPC5604E 32位MCU通過(guò)快速以太網(wǎng)傳輸高分辨率的壓縮視頻數(shù)據(jù)，可以提供360度車周全景，從而實(shí)現(xiàn)更加安全、簡(jiǎn)便地泊車。（來(lái)自飛思卡爾）

Marvell推出超低功耗40nm

四端口10GBASE-T PHY芯片

美滿電子科技（Marvell）近日宣布推出88X3140和88X3120 Alaska? X PHY芯片，可為交換機(jī)、服務(wù)器和存儲(chǔ)客戶帶來(lái)突破性的優(yōu)勢(shì)。

四端口的88X3140和雙端口的88X3120在銅質(zhì)雙絞線上實(shí)現(xiàn)了10Gb以太網(wǎng)連接。其顯著的優(yōu)勢(shì)包括低延遲、低運(yùn)行功耗、高抗干擾度，以及支持節(jié)能以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)等先進(jìn)的電源管理特性。它在100米距離時(shí)單個(gè)端口功耗為2.5瓦，是高密度應(yīng)用的理想產(chǎn)品。此外，Marvell已經(jīng)基于Marvell? Prestera?-CX交換機(jī)芯片開發(fā)出了參考設(shè)計(jì)，在1RU機(jī)架配置下支持多達(dá)48個(gè)10GBASE-T端口。（來(lái)自Marvell）

NXP推出市場(chǎng)就緒型

NFC“智能”汽車鑰匙解決方案

“智能”汽車鑰匙市場(chǎng)的先驅(qū)――恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出針對(duì)多功能汽車鑰匙的生產(chǎn)就緒單芯片解決方案――NCF2970（KEyLink Lite）。通過(guò)引入近距離無(wú)線通訊（NFC） 技術(shù)增強(qiáng)汽車鑰匙的功能，恩智浦的KEyLink Lite解決方案可以與配備了NFC功能的手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等外部設(shè)備互連，幫助汽車制造商營(yíng)造全新的駕馭體驗(yàn)。 （來(lái)自NXP）

TI基于C28x

和Cortex-M3的雙核MCU問(wèn)市

近日，德州儀器（TI）宣布推出新型C2000 Concerto雙核微控制器（MCU）系列，可幫助開發(fā)人員設(shè)計(jì)出環(huán)保性能與連接能力更佳的應(yīng)用。這種新型Concerto 32位微控制器將TI的具有同類領(lǐng)先性能的C28x內(nèi)核及控制外設(shè)與ARM Cortex-M3內(nèi)核及連接外設(shè)組合起來(lái)，以提供一種分區(qū)明確的架構(gòu)，可在單個(gè)具有成本效益的器件中支持實(shí)時(shí)控制和高級(jí)連接。（來(lái)自TI）

賽普拉斯FIFO存儲(chǔ)器即將投產(chǎn)

賽普拉斯半導(dǎo)體公司近日宣布推出一款容量高達(dá)72 Mbit的先進(jìn)先出 （FIFO）存儲(chǔ)器。該款全新的高容量（HD） FIFO 是視頻及成像應(yīng)用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求。與大型PFGA結(jié)合使用時(shí)，HD FIFO可作為標(biāo)準(zhǔn)同步DRAM存儲(chǔ)器的高級(jí)緩沖備選方案。新型HD FIFO可提供18、36以及72Mbit的容量版本，能夠支持3.3V和1.8V LVCMOS及HSTL1等眾多I/O標(biāo)準(zhǔn)。（來(lái)自賽普拉斯）

飛思卡爾半導(dǎo)體

50Gbits/s通信芯片

飛思卡爾半導(dǎo)體日前展示了一款名為QorIQAdvancedMultiprocessing（AMP）的網(wǎng)絡(luò)芯片產(chǎn)品，主要面向大流量網(wǎng)絡(luò)通信市場(chǎng)。這款芯片基于一個(gè)64位的 Powere65002.5GHzAltivec處理器核心開發(fā)，采用28nm制程，擁有24個(gè)虛擬核心以用來(lái)處理交換和路由業(yè)務(wù)。

同時(shí)，面對(duì)較為低端的客戶，飛思卡爾還有12核1.6GHz和24核2.0GHz的產(chǎn)品可供選擇。首款使用該芯片的設(shè)備是飛思卡爾的T4240，它已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)50Gbits/s的吞吐量。（來(lái)自飛思卡爾）

Microchip擴(kuò)展RF功率放大器產(chǎn)品線

美國(guó)微芯科技公司宣布，推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件，擴(kuò)展其RF功率放大器產(chǎn)品線。SST12LP17E是同類產(chǎn)品中體積最小但能完全匹配的功率放大器，只需要一個(gè)DC旁路電容即可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。SST12LP18E的工作電壓是Microchip全線RF功率放大器中最低的，并可在-20℃至+85℃條件下工作。新器件可工作于2.7V的低電壓，線性輸出功率高達(dá)18.5dBm為2.5%EVM于IEEE802.11gOFDM54Mbps標(biāo)準(zhǔn)下，輸出23.5dBm時(shí)附加功率效率高達(dá)38%于IEEE802.11b標(biāo)準(zhǔn)下。這些功率放大器采用8引腳2mmx2mmx45mmQFN封裝。它們是小尺寸、高效率和低電池電壓工作的嵌入式WLAN應(yīng)用的理想選擇，如消費(fèi)電子市場(chǎng)、手機(jī)、游戲機(jī)、打印機(jī)和平板電腦。（來(lái)自Microchip）

IMEC利用CMOS工藝制程

GaN MISHEMTs

歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù)。

借助這項(xiàng)新技術(shù)，GaNMISHEMTs（metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors）能夠嚴(yán)格按照CMOS的污染控制要求在工藝線上進(jìn)行生產(chǎn)（不再需要加入金這種貴金屬），進(jìn)而能夠在200mm硅襯底上大批量生產(chǎn)高質(zhì)量的氮化鎵產(chǎn)品。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

瑞薩開發(fā)出不需要電池的

無(wú)線通信技術(shù)

瑞薩電子日前正式宣布開發(fā)出一種新的近距離無(wú)線通訊技術(shù)：傳感器不需電池即可通過(guò)藍(lán)牙或無(wú)線局域網(wǎng)將數(shù)據(jù)發(fā)送出去。

此技術(shù)的重點(diǎn)有兩個(gè)：首先是利用發(fā)信端和收信端之間電磁波信噪比的改變來(lái)讀取傳感器傳送數(shù)據(jù)的近距離無(wú)線技術(shù)。另外就是自動(dòng)探測(cè)環(huán)境中能量較強(qiáng)的電磁波（手機(jī)信號(hào)或WiFi/WLAN信號(hào)等）并轉(zhuǎn)換成電能的微型發(fā)電技術(shù)。

這兩者的結(jié)合，使得小于1米的通信距離內(nèi)傳感器發(fā)送數(shù)據(jù)不需依靠電池得以實(shí)現(xiàn)。這種新的無(wú)線通訊技術(shù)以后可能應(yīng)用的例子有：使用電子計(jì)算器計(jì)算得出結(jié)果后靠近PC直接發(fā)送結(jié)果到PC中；在創(chuàng)可貼上加入溫度傳感器，用智能手機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控體溫?cái)?shù)據(jù)等。（來(lái)自CSIA）

AMD推出低功耗計(jì)算

和圖像處理混合芯片

AMD日前正式推出了其低功耗旗艦產(chǎn)品－Fusion處理器。Fusion芯片融合了x86架構(gòu)的計(jì)算處理器和圖像處理器，成為AMD和INTEL、ARM等競(jìng)爭(zhēng)移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)的“殺手锏”。不過(guò)，AMD資深研究人員PhilRogers暗示，F(xiàn)usion芯片的架構(gòu)設(shè)計(jì)并不是封閉、排外的，F(xiàn)usion的系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)在未來(lái)可以融合其它架構(gòu)的計(jì)算處理器和圖像處理器組成一個(gè)“異質(zhì)”的多核平臺(tái)。AMD將對(duì)外公布有關(guān)的技術(shù)文檔，使Fusion成為一個(gè)開放的軟硬件開發(fā)平臺(tái)。（來(lái)自CSIA）

意法半導(dǎo)體（ST）通過(guò)CMP

為業(yè)界提供28納米CMOS制程

意法半導(dǎo)體與CMP（Circuits Multi Projets?）攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過(guò)CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28 nm CMOS制程開發(fā)芯片設(shè)計(jì)。

雙方在上一代CMOS合作項(xiàng)目的成功促使了這次推出的28nm CMOS制程服務(wù)。雙方于2008年、2006年、2004年及2003年分別推出45nm、65nm、90nm及130nm制程服務(wù)。此外，CMP還提供意法半導(dǎo)體的65nm和130nm SOI以及130nm SiGe制造制程服務(wù)。舉例來(lái)說(shuō)，170所大專院校和企業(yè)已可使用意法半導(dǎo)體的90nm CMOS制程設(shè)計(jì)規(guī)則和設(shè)計(jì)工具，200余所大專院校和企業(yè)（60%為歐洲客戶；40%為美洲和亞洲客戶）已可使用65nm bulk和 SOI CMOS制程設(shè)計(jì)規(guī)則和設(shè)計(jì)工具。目前，45/40納米CMOS制程服務(wù)仍在開發(fā)階段。（來(lái)自意法半導(dǎo)體）

新岸線NuSmart 2816移動(dòng)處理器

新岸線公司最近了一款NuSmart2816處理器。該產(chǎn)品擁有強(qiáng)大性能的移動(dòng)終端設(shè)備處理器，采用了先進(jìn)的Coretex-A9構(gòu)架，性能卓越，且價(jià)格合理。新岸線市場(chǎng)行銷副總裁楊宇新先生告訴媒體：“目前已經(jīng)有品牌選用了NuSmart2816作為平板電腦的核心，第一款產(chǎn)品將在今年10月份左右上市。”并且，新岸線的下一代產(chǎn)品，功耗更低的Coretex-A9構(gòu)架處理器已經(jīng)準(zhǔn)備好了，代號(hào)為NuSmart2810，屆時(shí)這款處理器將把A9雙核處理器的成本拉的更低一些。并且，新岸線的4核AMR構(gòu)架的產(chǎn)品也在積極研發(fā)中，預(yù)計(jì)8-12個(gè)月后將投入生產(chǎn)。（來(lái)自CSIA）

思百吉成功舉辦2011中國(guó)客戶答謝會(huì)

思百吉（Spectris）集團(tuán)（美國(guó)邁思肯的母公司）在上海成功舉辦了“攜手未來(lái)，2011共創(chuàng)輝煌”客戶答謝會(huì)和記者招待會(huì)。百余名主要客戶代表和二十多家重要媒體參加了此次活動(dòng)， 思百吉集團(tuán)在活動(dòng)中分享了其在中國(guó)這個(gè)主要市場(chǎng)上的發(fā)展?fàn)顩r。

在記者招待會(huì)上，思百吉集團(tuán)首席執(zhí)行官John OHiggins先生和大家分享了思百吉集團(tuán)在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)及其對(duì)技術(shù)和產(chǎn)品的未來(lái)規(guī)劃。

John OHiggins先生表示：在全球經(jīng)濟(jì)不景氣的情況下，他們?cè)谥袊?guó)市場(chǎng)的銷售額卻仍不斷增長(zhǎng)。過(guò)去兩年中，共創(chuàng)造了2億多英鎊的銷售額。如今，中國(guó)已經(jīng)成為其全球第二大市場(chǎng)，繼全國(guó)的各主要城市后，思百吉也開始進(jìn)軍西部地區(qū)與二線城市。

雖然進(jìn)入中國(guó)已有40年，思百吉這個(gè)名字對(duì)于許多人而言都是一個(gè)陌生的名字。隨著時(shí)間的推移，這家制造高精儀器儀表與控制設(shè)備的國(guó)際巨鱷，其旗下的13家子公司都在悄然之中悉數(shù)進(jìn)駐了中國(guó)市場(chǎng)，其業(yè)務(wù)范圍已經(jīng)逐漸滲透了我國(guó)鋼鐵、汽車、能源等工業(yè)領(lǐng)域。

John OHiggins先生總結(jié)說(shuō)：“我們?cè)谥袊?guó)有強(qiáng)大的客戶基礎(chǔ)和良好的發(fā)展機(jī)遇，未來(lái)我們將繼續(xù)向中國(guó)市場(chǎng)投資，致力于產(chǎn)品的本地化，全面完善中國(guó)地區(qū)的服務(wù)和支持體系，尋求有技術(shù)特點(diǎn)的公司作為合作伙伴，不斷研發(fā)新產(chǎn)品，以滿足客戶的需求。”（本刊編輯：黃友庚）

Marvell業(yè)界首款TD單芯片

方案率先在華商用

全球整合式芯片解決方案廠商美滿電子科技（Marvell）日前宣布，成功推出Marvell單芯片在TD智能手機(jī)、平板電腦和無(wú)線路由器的應(yīng)用。

Marvell公司業(yè)界領(lǐng)先的TD-SCDMA方案可以提供世界級(jí)的3D圖像、手機(jī)游戲、移動(dòng)電視、高清視頻性能，并且通過(guò)Marvell美觀易用的Kinoma軟件，為不同平臺(tái)提供統(tǒng)一的用戶體驗(yàn)。同時(shí)，PXA920系列產(chǎn)品是業(yè)界首款TD-SCDMA單芯片方案，融合了高性能應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)器，讓大眾期待已久的1000元智能手機(jī)成為現(xiàn)實(shí)。這一平臺(tái)同時(shí)支持全球的3G和2G標(biāo)準(zhǔn)，讓OEM廠商可以為中國(guó)及中國(guó)以外的市場(chǎng)快速開發(fā)WCDMA智能手機(jī)、平板電腦和無(wú)線路由器。

Marvell完整的手機(jī)平臺(tái)解決方案包括單芯片通信處理器和應(yīng)用處理器、射頻模塊、電源管理芯片以及集成有Wi-Fi/藍(lán)牙/FM調(diào)頻功能的連接單芯片，該單芯片支持1x1和2x2移動(dòng)MIMO通信系統(tǒng)并具有波束成形（beamforming）功能。Marvell的TD-SCDMA芯片和軟件解決方案由上海的研發(fā)中心開發(fā)，該中心有約1000名工程師專注于中國(guó)市場(chǎng)。（來(lái)自Marvell）

Intersil兩款新型穩(wěn)壓器，

用戶可對(duì)其編程

Intersil公司近日宣布，推出兩款微型電源管理芯片――ISL9305和ISL9305H，進(jìn)一步擴(kuò)大其針對(duì)消費(fèi)電子市場(chǎng)的電源管理產(chǎn)品家族。ISL9305和ISL9305H這兩款芯片提供多通道電源輸出需求并支持靈活的I2C接口編程，非常適合當(dāng)下消費(fèi)電子的設(shè)計(jì)需求。ISL9305和ISL9305H采用4x4mm封裝，包含兩個(gè)800mA（ISL9305）、1500mA（ISL9305H）同步開關(guān)降壓穩(wěn)壓器和兩個(gè)300mA低壓差（LDO）線性穩(wěn)壓器，這一集成減少了元件總數(shù)并降低了產(chǎn)品總成本。 （來(lái)自Intersil）

盛群雙向無(wú)線電

應(yīng)用專用SOC MCU問(wèn)市

盛群半導(dǎo)體推出HT98R068為雙向無(wú)線電應(yīng)用專用SOC MCU。此IC主要是用于類似無(wú)線電對(duì)講機(jī)產(chǎn)品如FRS, MURS, GMRS等市場(chǎng)的含音訊處理的MCU。 在音訊處理功能方面, 包括pre-emphasis/de-emphasis、 壓擴(kuò)、可編程擾頻設(shè)定、DTMF編解碼、可編程selective code編解碼及亞音頻的CTCSS/DCS編解碼。靈活的音訊處理路徑與并行的亞音頻信號(hào)處理可提供各種組合的操作模式。（來(lái)自盛群半導(dǎo)體）

ST-Ericsson創(chuàng)新組件

將電池壽命提升30%

意法?愛立信目前推出一個(gè)全新的產(chǎn)品系列，這一系列的產(chǎn)品可以顯著提升手機(jī)和其他連接設(shè)備的電池使用壽命。與直接由電池供電的解決方案相比，這個(gè)創(chuàng)新的電源管理組件可以將移動(dòng)設(shè)備的通話時(shí)間或互聯(lián)網(wǎng)連接時(shí)間最高提升30%。基于意法?愛立信的開拓性PM3533集成解決方案，移動(dòng)設(shè)備的雙模射頻子系統(tǒng)可以采用低截止電壓電池技術(shù)，從而充分利用電池電源。（來(lái)自ST-Ericsson）

明導(dǎo)Capital工具覆蓋范圍

擴(kuò)展至電氣設(shè)計(jì)領(lǐng)域之外

Mentor Graphics公司近日宣布旗下的Capital產(chǎn)品套裝有重大擴(kuò)展。Capital套裝當(dāng)前為汽車、航空和國(guó)防工業(yè)提供強(qiáng)大的電氣系統(tǒng)和線束設(shè)計(jì)流程，而現(xiàn)在又有三款新產(chǎn)品加入，可以同時(shí)將流程向上游（產(chǎn)品規(guī)劃和架構(gòu)設(shè)計(jì)）和下游（產(chǎn)品維修維護(hù)）擴(kuò)展。隨著新型工具針對(duì)解決車型配置復(fù)雜性管理,線束制造,以及車輛維修維護(hù)文檔管理等多方面難題，Capital系列工具也將覆蓋范圍擴(kuò)大到從產(chǎn)品定義架構(gòu)到維修服務(wù)。新工具采用了突破性技術(shù)，對(duì)于OEM廠商、線束制造商和售后服務(wù)部門而言具有很高的商業(yè)價(jià)值。 （來(lái)自Mentor Graphics）

Atmel基于ARM9的MCU

可與Android系統(tǒng)兼容

微控制器及觸摸解決方案的供應(yīng)商愛特梅爾公司（Atmel Corporation）宣布其基于ARM的產(chǎn)品SAM9G45和SAM9M10將支持Android操作系統(tǒng) ，應(yīng)用于消費(fèi)、工業(yè)和計(jì)算市場(chǎng)。愛特梅爾以32位ARM926處理器為基礎(chǔ)的SAM9G45和SAM9M10 ARM9器件現(xiàn)可兼容Android操作系統(tǒng)，為運(yùn)行Android操作系統(tǒng)的SAM9M10-G45-EK板提供完整的板級(jí)支持包（board support package, BSP）。 （來(lái)自Atmel）

SanDisk全新嵌入式

閃存驅(qū)動(dòng)器iNAND EXTREME

SanDisk近日宣布推出全新iNAND Extreme嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（Embedded Flash Drive; EFD）系列；這是針對(duì)運(yùn)行在高級(jí)操作系統(tǒng)下以及數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的高端平板電腦所推出的首款系列產(chǎn)品，每秒連續(xù)寫入和讀取的速度分別達(dá)50MB與80MB。高性能的嵌入式閃存存儲(chǔ)設(shè)備，可大幅提高平板電腦的多媒體同步速度、轉(zhuǎn)文件速度，與操作系統(tǒng)的反應(yīng)力。 （來(lái)自SanDisk）

S2C 正式其新產(chǎn)品

Verification Module

S2C近日宣布他們已經(jīng)開發(fā)了一種原型驗(yàn)證產(chǎn)品，即TAI Verification Module（專利申請(qǐng)中）。它允許使用者通過(guò)一條x4 PCIe Gen2通道到連接FPGA原型中的用戶設(shè)計(jì)和用戶的電腦，使得用戶能夠使用大量數(shù)據(jù)和測(cè)試向量對(duì)FPGA原型中的用戶設(shè)計(jì)進(jìn)行快速驗(yàn)證。基于Altera Stratix-4 GX FPGA的TAI Verification Module將Altera 的SignalTap Logic Analyzer集成到了S2C的TAI Player軟件中，它能支持在多個(gè)FPGA進(jìn)行RTL 級(jí)別調(diào)試。這項(xiàng)創(chuàng)新的技術(shù)在設(shè)計(jì)編譯過(guò)程中建立了多組，每組480個(gè)probe，從而使用戶能在不需要進(jìn)行冗長(zhǎng)的FPGA重新編譯的情形下在多個(gè)FPGA中查看數(shù)以千計(jì)的RTL級(jí)probe。（來(lái)自S2C）

飛兆新增工業(yè)類型封裝的

PowerTrench MOSFET器件

對(duì)于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，構(gòu)建一個(gè)具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）為100V和150V PowerTrench MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇，包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。 （來(lái)自飛兆）

恩智浦推出集成LCD圖像

控制器的LPC1788微控制器

恩智浦半導(dǎo)體近日了LPC1788微控制器，這是業(yè)界首款采用ARM? CortexTM-M3技術(shù)且集成LCD控制器的MCU，目前已批量上市。LPC178x系列擁有最高96KB片上SRAM以及32位外接存儲(chǔ)器接口，幫助客戶輕松實(shí)現(xiàn)低成本、高質(zhì)量的圖像應(yīng)用。LPC178x系列支持眾多圖像顯示面板，是工業(yè)自動(dòng)化、銷售網(wǎng)點(diǎn)和醫(yī)療診斷應(yīng)用的理想選擇。 （來(lái)自恩智浦）

MIPS 科技推動(dòng)“Apps on MIPS”開發(fā)

美普思科技公司（MIPS）日前宣布推出全新 MIPS 應(yīng)用程序開發(fā)（MAD：MIPS Application Development ）計(jì)劃，旨在促進(jìn) MIPSTM架構(gòu)應(yīng)用程序的快速發(fā)展。該計(jì)劃將提供性能和兼容性測(cè)試的技術(shù)支持與服務(wù)，以確保應(yīng)用程序能夠在 MIPS-BasedTM 設(shè)備上運(yùn)行。通過(guò)這項(xiàng)由 MIPS 開發(fā)人員社區(qū)所提出的最新計(jì)劃，開發(fā)人員能快速構(gòu)建與 MIPS-BasedTM 移動(dòng)設(shè)備完全兼容的應(yīng)用程序，為游戲和其它應(yīng)用程序帶來(lái)理想的用戶體驗(yàn)。

MAD 計(jì)劃初期將定位于 AndroidTM 平臺(tái)的 MIPS-Based 設(shè)備應(yīng)用程序開發(fā)。MIPS 開發(fā)工程師團(tuán)隊(duì)能夠提供兼容性和性能分析，并將結(jié)果反饋給應(yīng)用程序開發(fā)人員。在 MIPS 開發(fā)人員社區(qū)網(wǎng)站 developer.省略 上可獲得完整的文件和技術(shù)支持。此外，開發(fā)人員還能夠充份利用 MAD 套件（MAD Kit） 開發(fā) Android 應(yīng)用程序。MAD 套件包括由 Android 軟件開發(fā)套件（SDK）和 QEMU 仿真器組成的完整工具鏈，以及本機(jī)開發(fā)套件（NDK）（r5b Windows/Linux）。我們同時(shí)還會(huì)提供高級(jí)移動(dòng)硬件平臺(tái)。（來(lái)自美普思科技）

奧地利微電子首款3D霍爾傳感器

AS5410可感應(yīng)絕對(duì)位置

奧地利微電子公司近日推出全球首款基于全功能3D霍爾平臺(tái)的線性位置傳感器AS5410。獨(dú)特的3D霍爾傳感器解決方案可在汽車和工業(yè)應(yīng)用中感應(yīng)絕對(duì)位置，提供超高分辨率的位置信息。AS5410能在設(shè)備啟動(dòng)后即刻檢測(cè)一個(gè)簡(jiǎn)單兩級(jí)磁鐵的絕對(duì)位置，應(yīng)用中無(wú)需預(yù)先運(yùn)行參考定位。即便使用非常小的磁鐵，位置感測(cè)也可支持大范圍的機(jī)械運(yùn)行距離。AS5410 3D霍爾編碼器可通過(guò)SPI接口預(yù)設(shè)四種基本操作模式，提供快速便捷的配置操作。所有信號(hào)調(diào)理，包括對(duì)溫度影響的補(bǔ)償?shù)染谄瑑?nèi)實(shí)現(xiàn)。（來(lái)自?shī)W地利微電子）

微捷碼宣布推出支持GLOBALFOUNDRIES

低功耗技術(shù)的參考流程

微捷碼（Magma）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司近日宣布，一款支持GLOBALFOUNDRIES 28納米超低功耗（SLP）高K金屬柵（HKMG）技術(shù)的netlist-to-GDSII參考流程正式面市。這款簽核就緒（sign-off-ready）的參考流程可與GLOBAL- FOUNDRIES的簽核驗(yàn)證模塊相集成，且通過(guò)利用Talus IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)獨(dú)特的Talus Flow Manager和Talus Visual VolcanoTM提供獨(dú)特的可視化功能，還使得雙方客戶能夠快速輕松地先輸入現(xiàn)有設(shè)計(jì)、然后以28納米SLP工藝對(duì)其性能進(jìn)行分析并評(píng)估。不同于其它IC實(shí)現(xiàn)環(huán)境，Talus Flow Manager是隨著Talus Vortex一起加入的這款流程，從而去除了對(duì)額外工具的投資需求。（來(lái)自微捷碼）

ADI推出一款高性能

雷達(dá)模擬前端IC:AD8283

汽車安全理念一直在發(fā)展演變，現(xiàn)在已經(jīng)從座位安全帶、安全氣囊和碰撞檢測(cè)等被動(dòng)系統(tǒng)發(fā)展到具有防撞和事故預(yù)防功能的主動(dòng)檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)。作為一項(xiàng)尤為令人振奮的主動(dòng)安全改進(jìn)措施，雷達(dá)可以顯著降低因分心而導(dǎo)致的行車事故數(shù)量及嚴(yán)重程度。Analog Devices, Inc.的集成式慣性 MEMS 檢測(cè)技術(shù)曾讓安全氣囊在15年前成為一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)汽車安全特性，近日又推出一款價(jià)格低廉的高性能雷達(dá) AFE（模擬前端）IC。ADI 公司高集成度的 AD8283汽車?yán)走_(dá) AFE（模擬前端）IC 包含接收路徑信號(hào)調(diào)理和數(shù)據(jù)采集電路，使終端系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)巡航控制、盲點(diǎn)檢測(cè)以及其它基于雷達(dá)的檢測(cè)和預(yù)防應(yīng)用。（來(lái)自ADI）

TI最新OMAP 4處理器

可將網(wǎng)頁(yè)瀏覽性能提升80%

德州儀器（TI） 近日宣布推出超節(jié)能OMAP4470應(yīng)用處理器，該處理器屬于OMAP 4平臺(tái)系列，能夠使處理功耗、圖形、顯示子系統(tǒng)功能及多層用戶界面組合等方面的性能達(dá)到有效平衡。多內(nèi)核OMAP4470處理器的時(shí)鐘速度高達(dá)1.8 GHz，為目前市場(chǎng)上所有解決方案之冠，同時(shí)網(wǎng)絡(luò)瀏覽性能提升80%，內(nèi)存帶寬增加，圖形功能提高2.5倍(通過(guò)Imagination Technologies的POWERVRTM SGX544以及獨(dú)特的硬件組合引擎實(shí)現(xiàn)）。（來(lái)自TI）

新唐NuMicro微控制器

NUC122 閃亮登場(chǎng)

新唐科技繼成功推出以ARM? CortexTM-M0為核心的32位微控制器 - NUC100/NUC120 和 NuMicro M051TM系列后，新成員NUC122系列于近日閃亮登場(chǎng)。NUC122系列以最低功耗、低閘數(shù)、精簡(jiǎn)程序代碼，內(nèi)建USB及多種高速通訊能力器件等特性，使其執(zhí)行效能為一般微控制器的數(shù)倍。其先進(jìn)低功耗工藝與內(nèi)建 USB 2.0全速裝置，特別適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、安防、通訊系統(tǒng)，與需要高速計(jì)算的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)領(lǐng)域。 （來(lái)自新唐科技）

安森美五款超小型

低壓降線性穩(wěn)壓器出爐

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）近日推出五款超小封裝的低壓降（LDO）線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)，均能提供150毫安的輸出電流。這五款新器件都非常適合于應(yīng)用在電池供電的便攜設(shè)備（如MP3播放器、手機(jī)、手持GPS系統(tǒng)、照相機(jī)及錄像機(jī)）、家用電器（包括機(jī)頂盒及數(shù)字視頻錄像機(jī)）和網(wǎng)絡(luò)/通信設(shè)備（服務(wù)器及路由器），以及非常講究節(jié)省電能及空間的其他應(yīng)用。 （來(lái)自安森美）

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體

推出全新高亮度LED驅(qū)動(dòng)器

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor Corp.）近日宣布推出全新高集成度線性LED驅(qū)動(dòng)器LM3466，可簡(jiǎn)化街燈等大功率大型照明燈具的設(shè)計(jì)。僅需幾個(gè)無(wú)源組件，LM3466便能提供一個(gè)完整系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)在現(xiàn)有任一款的AC/DC恒流源基礎(chǔ)上驅(qū)動(dòng)每個(gè)LED燈串。現(xiàn)今的LED驅(qū)動(dòng)器通常需要多個(gè)組件，才能正確地驅(qū)動(dòng)一個(gè)LED燈串，而為了維持多個(gè)LED燈串間的電流相同，常會(huì)令設(shè)計(jì)變得更為復(fù)雜。通過(guò)集成MOSFET并采用獨(dú)特的控制方法，LM3466能夠解決上述問(wèn)題。（來(lái)自美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體）

美商柏恩復(fù)合式扭矩和角度傳感器

美商柏恩（Bourns?）公司，近日推出一款全新復(fù)合式扭矩和角度感應(yīng)器。該款新的傳感器是專為電子動(dòng)力輔助控制應(yīng)用系統(tǒng)（EPAS）和其它汽車系統(tǒng)所設(shè)計(jì)的，除了結(jié)合了扭矩和轉(zhuǎn)向角度測(cè)量外，還取代了以往使用兩個(gè)離散感應(yīng)器進(jìn)而節(jié)省空間和成本。新款復(fù)合式扭矩和角度感應(yīng)器乃使用柏恩（Bourns?）' Hall Effect （HE） 的非時(shí)鐘簧線 （Non- clockspring） 扭矩傳感器技術(shù)，藉由傳動(dòng)器輸入功率來(lái)測(cè)量其扭矩轉(zhuǎn)向，并且同時(shí)轉(zhuǎn)換成控制方向盤轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和方向。新款復(fù)合式感應(yīng)器中的扭矩感應(yīng)器是專為EPAS設(shè)計(jì)的，其控制角度信號(hào)器可用于各種汽車系統(tǒng)，包括電子穩(wěn)定控制（ESC），進(jìn)階前照明系統(tǒng)（AFLS），導(dǎo)航和輔助停車系統(tǒng)。 （來(lái)自Bourns?）

MIPS和矽統(tǒng)科技持續(xù)推動(dòng)

AndroidTM 進(jìn)入數(shù)字家庭應(yīng)用

日前，美普思科技公司（MIPS）攜手中國(guó)臺(tái)灣矽統(tǒng)科技公司共同宣布，雙方將共同推動(dòng) AndroidTM 平臺(tái)進(jìn)入數(shù)字家庭應(yīng)用，樹立新的里程碑。兩家公司合作推出以矽統(tǒng)科技新款 MIPS-BasedTM 集成網(wǎng)絡(luò)電視平臺(tái)為基礎(chǔ)的優(yōu)化 Android 解決方案，現(xiàn)已面市。同時(shí)，矽統(tǒng)科技獲得了全新超標(biāo)量多處理 MIPS32TM 1074KfTM 同步多處理系統(tǒng)（CPS）授權(quán)，用于開發(fā)下一代芯片產(chǎn)品。

矽統(tǒng)科技全新高集成度的網(wǎng)絡(luò)電視平臺(tái)采用雙內(nèi)核高性能 MIPS 處理器，可提供定制化 widget，并支持 YouTube、Facebook、eBay、Flickr、天氣和財(cái)經(jīng)以及在線電影租賃等廣受歡迎的服務(wù)。該平臺(tái)可支持高端圖像和增強(qiáng)的視頻處理，以及 Adobe? Flash? Player 10.1 與電視視頻流功能。該產(chǎn)品同時(shí)支持視頻點(diǎn)播和 Skype等網(wǎng)絡(luò)通信。并能與其他 Android 平板電腦和智能手機(jī)等設(shè)備進(jìn)行無(wú)縫互操作和互聯(lián)；提供遙控和視頻共享等功能。全新互聯(lián)網(wǎng)電視平臺(tái)現(xiàn)已能夠通過(guò)矽統(tǒng)科技獲得。（來(lái)自美普思科技）

三洋用于數(shù)碼錄音筆的

音頻處理器LC823425即將量產(chǎn)

三洋半導(dǎo)體（安森美半導(dǎo)體成員公司）推出用于數(shù)碼錄音筆（IC recorder）等便攜設(shè)備的音頻處理方案―LC823425。這產(chǎn)品包含內(nèi)置硬連線MP3編碼器/解碼器系統(tǒng)，提供業(yè)界最低的功耗5毫瓦，以內(nèi)置數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）支援先進(jìn)功能。LD823425利用新開發(fā)的MP3文件格式硬件解碼器，將編碼期間的功耗相較于此前產(chǎn)品降低50%。這器件還利用低壓90納米工藝提供約5 mW的總功耗，達(dá)致業(yè)界最低的MP3錄音/播放功耗水平。（來(lái)自三洋半導(dǎo)體）

微捷碼宣布其

Titan Analog Design Kit正式面市

微捷碼（Magma）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司近日宣布，支持臺(tái)積電（TSMC）180納米/65納米工藝的Titan Analog Design Kit正式面市，它以與工藝和規(guī)格無(wú)關(guān)且可重復(fù)利用的模塊化模擬電路模塊――Titan FlexCell實(shí)現(xiàn)了Titan基于模型的設(shè)計(jì)方法。這款工具包提供了一個(gè)模擬設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，使得微捷碼和臺(tái)積電雙方客戶均可顯著改善設(shè)計(jì)質(zhì)量和設(shè)計(jì)師效率。Titan Analog Design Kit設(shè)計(jì)工具包包括了與技術(shù)無(wú)關(guān)的FlexCell、相關(guān)電路原理圖、符號(hào)、測(cè)試基準(zhǔn)、完整文檔和一份指南。通過(guò)使用這款工具包、Titan模擬設(shè)計(jì)加速器（Titan ADX）、FlexCell以及目標(biāo)工藝信息和規(guī)格，用戶可創(chuàng)建滿足其特定需求的模擬設(shè)計(jì)。這種獨(dú)特的新方法通過(guò)可重復(fù)利用FlexCell 電路模塊實(shí)現(xiàn)了非常快速的模擬設(shè)計(jì)。（來(lái)自MAGMA）

核高基專項(xiàng)資金或本周開始下?lián)?/p>

預(yù)計(jì)總金額超過(guò)1000億元

近日有消息人士透露，政府相關(guān)部門將于近日向幾家企業(yè)下?lián)?010年“核高基”專項(xiàng)資金，獲得資金的企業(yè)集中在基礎(chǔ)軟件領(lǐng)域。國(guó)家“核高基”專項(xiàng)資金分批次下?lián)埽敬蜗聯(lián)芑蛟诒局軆?nèi)執(zhí)行。

“核高基”專項(xiàng)將持續(xù)至2020年，中央財(cái)政為此安排預(yù)算328億元，加上地方財(cái)政以及其他配套資金，預(yù)計(jì)總投入將超過(guò)1000億元。

有消息人士近日透露，相關(guān)政府部門上周向多家企業(yè)下發(fā)了有關(guān)2010年“核高基”專項(xiàng)資金的批復(fù)函件，具體資金應(yīng)該在本周內(nèi)下?lián)堋＋@得資金的企業(yè)集中在基礎(chǔ)軟件領(lǐng)域，包括國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)廠商、國(guó)產(chǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)廠商以及國(guó)產(chǎn)辦公軟件廠商等。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

諾基亞西門子通信投資

半導(dǎo)體創(chuàng)新公司 ClariPhy Inc.

諾基亞西門子通信的投資將支持ClariPhy開發(fā)高集成度單芯片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）集成電路（IC），用于高性能光網(wǎng)絡(luò)數(shù)字信息處理（DSP）。高容量傳輸網(wǎng)絡(luò)是交付固定和移動(dòng)寬帶的關(guān)鍵。IPTV、按需視頻、云計(jì)算和服務(wù)所需的數(shù)據(jù)量每年以60%的速度增長(zhǎng)。

高容量光網(wǎng)絡(luò)用于智能傳輸網(wǎng)絡(luò)中，可幫助服務(wù)提供商的多服務(wù)數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)最低整體擁有成本。智能傳輸網(wǎng)絡(luò)基于諾基亞西門子通信規(guī)劃、安裝、整合、提供、維護(hù)和優(yōu)化IP集成的能力，可運(yùn)營(yíng)多廠商傳輸網(wǎng)絡(luò)。除專業(yè)服務(wù)外，智能傳輸網(wǎng)絡(luò)還包括諾基亞西門子通信的產(chǎn)品。

諾基亞西門子通信對(duì)ClariPhy的投資和已經(jīng)安裝的智能傳輸網(wǎng)絡(luò)將改善現(xiàn)有的光纖網(wǎng)絡(luò)，讓諾基亞西門子通信的帶寬突破100G。此外，該投資能讓諾基亞西門子通信在速度更快的速率卡（400G，1T）開發(fā)中保持領(lǐng)先，解決IP網(wǎng)絡(luò)流量的大規(guī)模增長(zhǎng)問(wèn)題。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

2011年全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣回顧

分析了年初以來(lái)全球半導(dǎo)體行業(yè)的運(yùn)行數(shù)據(jù)。銷售額方面，需求穩(wěn)健，淡季不淡；產(chǎn)能利用率方面，持續(xù)處于高位，我們預(yù)測(cè)行業(yè)開工情況將維持良好局面；BB值方面，今年前5個(gè)月，美國(guó)BB值從0.85的低位持續(xù)反彈；日本BB值1-2月增長(zhǎng)勢(shì)頭良好，但3月受地震影響開始略有回落，總的來(lái)看，半導(dǎo)體行業(yè)資本開支進(jìn)入穩(wěn)定成長(zhǎng)期。

風(fēng)險(xiǎn)提示。日本震后的電力、交通恢復(fù)進(jìn)度如果較慢，將影響全球半導(dǎo)體的原材料、設(shè)備供應(yīng)，以及需求情況；中國(guó)大陸人工成本上漲將影響相應(yīng)公司利潤(rùn)。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

英飛凌展出配備

SiC JFET的功率模塊等

德國(guó)英飛凌科技在東京舉行的展會(huì)“智能電網(wǎng)展2011&新一代汽車產(chǎn)業(yè)展2011”，展出了各種功率模塊。在會(huì)場(chǎng)上，英飛凌還展示了功率循環(huán)壽命延至原產(chǎn)品10倍的功率模塊，延長(zhǎng)了功率循環(huán)壽命。

此次，英飛凌將鍵合引線的材料由鋁改為銅，提高了產(chǎn)品的可靠性。該公司表示，利用銅線的鍵合技術(shù)已用于其MOSFET等，此次就是以該技術(shù)為基礎(chǔ)的。

另外，英飛凌為接合功率半導(dǎo)體芯片和DCB基板采用了名為“擴(kuò)散焊接方式”的方法。由于與普通方法相比，焊錫層較薄并且熱阻較小等，能提高產(chǎn)品的可靠性。

英飛凌在會(huì)場(chǎng)上展示了利用上述.XT技術(shù)的耐壓1200V、電流900A的IGBT功率模塊。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

ADI 公司的1W、2級(jí)集成驅(qū)動(dòng)

放大器覆蓋整個(gè)蜂窩頻率范圍

ADI最近推出兩款1W、2級(jí) RF 驅(qū)動(dòng)放大器 ADL5605和 ADL5606，它們能夠覆蓋無(wú)線通信系統(tǒng)所用的整個(gè)蜂窩頻率范圍。高集成度放大器 ADL5605（工作頻率范圍700MHz 至1000MHz）和 ADL5606（工作頻率范圍1800MHz 至2700MHz）引腳兼容，易于調(diào)諧，并且集成了兩個(gè)增益級(jí)；與傳統(tǒng)的分立設(shè)計(jì)相比，電路板空間大大節(jié)省。

此外，新款 RF 驅(qū)動(dòng)放大器集成了內(nèi)部有源偏置和快速關(guān)斷功能，支持需要省電模式的應(yīng)用，或者間歇性發(fā)射信號(hào)的無(wú)線電能計(jì)量等應(yīng)用。這些高性能寬帶 RF 驅(qū)動(dòng)放大器非常適合各種有線和無(wú)線應(yīng)用，包括：蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施；工業(yè)、科研和醫(yī)療（ISM）頻段功率放大器；防務(wù)和儀器儀表設(shè)備等。 （來(lái)自ADI公司）

士蘭微電子通過(guò)質(zhì)量/

環(huán)境管理體系監(jiān)督審核

近日士蘭微電子迎來(lái)了方圓標(biāo)志認(rèn)證浙江審核中心審核組對(duì)我司ISO19001-2008版本的第二次監(jiān)督審核。

在審核過(guò)程中，審核組檢查了公司質(zhì)量/環(huán)境管理體系覆蓋的產(chǎn)品、過(guò)程和區(qū)域，對(duì)公司在認(rèn)證范圍內(nèi)的質(zhì)量/環(huán)境管理體系與審核準(zhǔn)則的持續(xù)符合性進(jìn)行了抽查驗(yàn)證，并與各部門的當(dāng)事人進(jìn)行了交流和現(xiàn)場(chǎng)的抽樣審核。

經(jīng)過(guò)兩天的嚴(yán)格審查，審核組對(duì)公司的質(zhì)量/環(huán)境管理體系運(yùn)作情況作出了較高評(píng)價(jià)：公司有關(guān)人員理解標(biāo)準(zhǔn)比較到位，公司的管理體系比較完善，質(zhì)量和環(huán)境管理體系均沒有開具不符合報(bào)告，體系運(yùn)行有效。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

中國(guó)電科海康威視

全新一代DVR產(chǎn)品

近日，中國(guó)電科所屬第52研究所海康威視推出全新一代網(wǎng)絡(luò)硬盤錄像機(jī)（DVR）產(chǎn)品。該系列DVR在處理性能、系統(tǒng)穩(wěn)定性等多方面獲得革命性突破，給終端用戶帶來(lái)全新體驗(yàn)，重新定義了DVR產(chǎn)品的新高度。

該產(chǎn)品采用領(lǐng)先的3D視頻數(shù)字降噪技術(shù)、圖像倍幀與反隔行算法，搭載創(chuàng)新型高清視頻處理系統(tǒng)，使圖像更細(xì)膩、更清晰，全新操作界面，讓操作更人性化。可同時(shí)支持16路高畫質(zhì)4CIF實(shí)時(shí)編碼與16路4CIF實(shí)時(shí)解碼，支持16路高清IPC的接入、存儲(chǔ)和高清解碼顯示；可同時(shí)實(shí)現(xiàn)16路實(shí)時(shí)預(yù)覽與16路同步實(shí)時(shí)回放，實(shí)現(xiàn)真正的DULLHD雙輸出獨(dú)立顯示；支持雙千兆網(wǎng)口，網(wǎng)絡(luò)性能強(qiáng)勁，支持網(wǎng)絡(luò)容錯(cuò)、負(fù)載均衡、雙網(wǎng)隔離等特點(diǎn)，為多樣化的監(jiān)控網(wǎng)絡(luò)提供最貼合的應(yīng)用方案，適應(yīng)視頻監(jiān)控大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)化的發(fā)展趨勢(shì)。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

西南集成電路設(shè)計(jì)有限公司將在

美國(guó)TowerJazz工廠生產(chǎn)射頻IC產(chǎn)品

西南集成電路設(shè)計(jì)有限公司（SWID）是一家本土無(wú)晶圓IC設(shè)計(jì)公司。最近該公司選擇在美國(guó)加州紐波特比奇（NewportBeach）進(jìn)行代工生產(chǎn)，利用其鍺硅BiCMOS工藝技術(shù)來(lái)制造該公司的射頻IC產(chǎn)品。

TowerJazz宣布了這一合作。Tower半導(dǎo)體于2008年接管了美國(guó)捷智科技公司（JazzTechnologiesInc.），包括捷智在紐波特比奇的200毫米晶圓廠。此舉非同一般，標(biāo)志著由中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)代工無(wú)晶圓設(shè)計(jì)流程的全盤逆轉(zhuǎn)。在此次的事件中，中國(guó)設(shè)計(jì)流程從東方轉(zhuǎn)向西方國(guó)家，并于加州制造。這在一定程度上反映了日趨成熟的中國(guó)設(shè)計(jì)以及部分鍺硅制造業(yè)的專業(yè)程度。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

工信部：十一五電子

發(fā)展基金投2.3億做3G研發(fā)

在26日舉行的“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金成果匯報(bào)展示會(huì)上，工業(yè)和信息化部總經(jīng)濟(jì)師周子學(xué)透露，“十一五”期間，電子發(fā)展基金累計(jì)投入34.71億元，安排項(xiàng)目1825個(gè)，其中，在3G研發(fā)上的投入為2.3億。

周子學(xué)表示，五年來(lái)，電子發(fā)展基金累計(jì)投入34.71億元，安排項(xiàng)目1825個(gè)。其中，在第三代移動(dòng)通信、發(fā)光二極管、太陽(yáng)能光伏、信息安全技術(shù)產(chǎn)品等新興領(lǐng)域，分別投入資金2.285億元、5900萬(wàn)元、3650萬(wàn)元、2.96億元支持關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

而在軟件、集成電路、新型顯示器件等核心關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上，電子發(fā)展基金分別投入資金9.31億元、3.96億元、3.68億元，分別安排項(xiàng)目561個(gè)、175個(gè)、89個(gè)，并通過(guò)集成電路研發(fā)資金投入19.5億元，支持了209個(gè)項(xiàng)目。

據(jù)了解，電子發(fā)展基金設(shè)立于1986年，用于支持軟件、集成電路、計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備、數(shù)字視聽、基礎(chǔ)元器件等各門類產(chǎn)品和信息技術(shù)推廣應(yīng)用。（來(lái)自中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)）

英飛凌推出新款

XC2000 16位車用單片機(jī)

為了幫助中低檔汽車采用高檔汽車的安全和舒適裝置，同時(shí)符合最嚴(yán)格的燃耗和尾氣排放要求，英飛凌科技股份公司近日宣布?jí)汛笃浯螳@成功的XC2000車用單片機(jī)產(chǎn)品家族，推出成本優(yōu)化型新器件。英飛凌這次壯大XC2000產(chǎn)品家族陣容的主要宗旨是，幫助汽車系統(tǒng)供應(yīng)商在不引進(jìn)多個(gè)單片機(jī)平臺(tái)的情況下，擴(kuò)充其產(chǎn)品陣容并拓寬其性能范圍。英飛凌此舉將為客戶提供伸縮自如的汽車解決方案，其軟硬件重復(fù)利用率很高，能夠顯著降低客戶的成本。

新款XC2000 16位器件的典型應(yīng)用包括：低成本車身控制模塊（BCM）、低成本氣囊或低端引擎管理系統(tǒng)等。為了進(jìn)一步縮小占板空間，新款XC2000器件采用了成本優(yōu)化的超小型封裝。（來(lái)自英飛凌科技）

篇(6)

【關(guān)鍵詞】半橋電路；死區(qū)時(shí)間；閾值電壓；比較器；正反饋

A kind of automatic detection and setting dead time circuit designing

HUANG Haiping，JIANG Yanfeng

（Microelectronic research center,North China University of Technology,Beijing 100144,China）

Abstract：This paper introduced a kind of controller circuit which can automaticly set dead time.The controller works in this way that compares the voltage difference between gate and source of MOS tube to threshold voltage.The results of comparing each controls another gate in order to guarantee that the half bridge can not be turned on at the same time.The circuit with positive feedback is used here as to speed up the comparison of the response signal.At last,in the perceptual load,here gives the simulation and experiment results of dead time under the threshold voltage of 1.2V.The simulation results was realized by CSMC 0.5μm CMOS technology.the controller circuit is designed simply,and extra dead time need not to be setted up in the driving circuit.

Key words：Half bridge circuit；Dead time；Threshold voltage；Comparator；Positive feedback

1.引言

高效率的DC-DC變換器得到已經(jīng)廣泛應(yīng)用，比如手機(jī)，個(gè)人電腦，通訊設(shè)備等。開關(guān)的損耗包括：傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗、直通損耗等。可以通過(guò)優(yōu)化和改善功率管的尺寸和驅(qū)動(dòng)電路來(lái)減小前兩者的損耗。為了減小第三種損耗，就必須設(shè)法縮短死區(qū)時(shí)間[1]的大小。死區(qū)時(shí)間是為了使上下橋臂不會(huì)因開關(guān)延遲而導(dǎo)致同時(shí)開通而設(shè)置的一個(gè)時(shí)間段。因此，死區(qū)時(shí)間的設(shè)置，可以有效消除兩個(gè)開關(guān)管之間延遲效應(yīng)，避免直通損壞模塊。如果設(shè)置的死區(qū)時(shí)間較大，電路工作雖然安全可靠，但是會(huì)引入輸出波形的失真，從而影響輸出效率；死區(qū)時(shí)間較小，輸出波形較好，但是降低了電路可靠性，所以死區(qū)時(shí)間一般為μs級(jí)。死區(qū)時(shí)間的設(shè)置如果由定時(shí)器或軟件延時(shí)產(chǎn)生，會(huì)增加定時(shí)器或CPU的負(fù)擔(dān)。死區(qū)時(shí)間的存在，使占空比調(diào)節(jié)范圍縮小，降低了變換器動(dòng)態(tài)性能；此外，因?yàn)殚_關(guān)器件的關(guān)斷時(shí)間隨環(huán)境溫度、工作電流等因素變化很大，致使死區(qū)時(shí)間大小不容易掌握。

2.電路設(shè)計(jì)

2.1 死區(qū)時(shí)間設(shè)置規(guī)則

功率MOS管有寄生的二極管，稱為體二極管，其恢復(fù)時(shí)間與存儲(chǔ)在體二極管內(nèi)的多余電荷成正比。理論上，在保證電路工作可靠的情況下，死區(qū)時(shí)間越小越好，設(shè)置時(shí)間短，體二級(jí)管的導(dǎo)通時(shí)間就小，則其消耗的功耗也就小。死區(qū)時(shí)間大時(shí)，模塊工作更加可靠，但是體二極管導(dǎo)通時(shí)間就大，減小了電路的輸出效率。一般把死區(qū)時(shí)間的大小設(shè)置在4%到一個(gè)周期之內(nèi)，遵循規(guī)則如下：

（1）

式（1）中，TD是死區(qū)設(shè)置時(shí)間，Td(off)為開關(guān)MOS管的關(guān)斷延遲時(shí)間，Tf為開關(guān)管的下降時(shí)間，Td(on)為開關(guān)管的開通延遲時(shí)間[2]。由于工藝廠商的不同，器件本身結(jié)電容放電時(shí)間，驅(qū)動(dòng)參數(shù)有所不同，實(shí)際電路中選擇TD值為2（Td(off)+Tf）。圖1為半橋基本電路結(jié)構(gòu)。

2.2 RC設(shè)置的延時(shí)電路

在目前的大多數(shù)開關(guān)電源芯片電路中，設(shè)置死區(qū)時(shí)間的常用方法是：對(duì)輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行一定的延時(shí)，使得高電平信號(hào)或低電平信號(hào)在一個(gè)周期時(shí)間內(nèi)不完全重合，然后再與先前驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行一定的邏輯運(yùn)算得到所需的死區(qū)時(shí)間。由此可以得出，延時(shí)單元在設(shè)置死區(qū)時(shí)間當(dāng)中，是一個(gè)很重要的環(huán)節(jié)。典型的RC電路架構(gòu)如圖2所示。通過(guò)設(shè)置不同和R值或C值可以得到不同的死區(qū)時(shí)間。但是設(shè)置較大電容C值時(shí)，會(huì)增加CMOS反向器的柵極的延時(shí)，為了減小這個(gè)延時(shí)的影響，一般選取的電容值較小，而只是通過(guò)較大范圍改變電阻R值。

2.3 死區(qū)時(shí)間控制電路設(shè)計(jì)

圖3就是控制電路的基本框架圖。半橋電路驅(qū)

動(dòng)的負(fù)載為由LCR組成的諧振網(wǎng)絡(luò)。諧振阻抗的公式如下：

（2）

所以諧振網(wǎng)絡(luò)既可以工作在容性阻抗下，也可以工作在感性阻抗下。

當(dāng)（3）

驅(qū)動(dòng)負(fù)載表現(xiàn)感性。反之，則表現(xiàn)為容性。上下橋臂的MOS管的柵極各加入一個(gè)開關(guān)管。當(dāng)MOSFET的柵源電壓小于閾值電壓，MOSFET就工作在截止區(qū)，不導(dǎo)通的狀態(tài)，此時(shí)另一個(gè)橋臂的MOS管才開始被驅(qū)動(dòng)，因此就能消除上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通，避免器件損壞。其具體的工作原理是：假設(shè)MOSFET的閾值電壓為Vth。圖3中M1，M2都是NMOS管，都選用NMOS管的原因是其閾值電壓就相同，就可以避免了后面設(shè)置比較值的時(shí)候需要兩個(gè)不同基準(zhǔn)電壓。VH，Vf分別為M1管的柵極，源極的電勢(shì)，當(dāng)VH減去Vf得到的電勢(shì)差小于M1的閾值電壓時(shí)，M1管就不工作。其中，VH和Vf的電勢(shì)差通過(guò)圖4電路中I1運(yùn)算放大器搭建的減法電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。因?yàn)殡娮璞壤禐?，所以I1的輸出端的V1的大小為（VH-Vf），其值作為I2比較器的正端輸入，負(fù)端為半橋電路MOS管閾值電壓大小的直流電壓。如果（VH-Vf）電壓值大于Vth,I2比較器的輸出端VLc輸出高電平，圖3中M4開關(guān)管就導(dǎo)通，M2功率管就不工作。

（VH-Vf）電壓小于Vth,I2比較器的輸出端VLc輸出低電平，M2的柵極控制信號(hào)VL就由下橋驅(qū)動(dòng)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)。同理，下橋臂M2管的工作方式與M1管的一樣。當(dāng)VL的電勢(shì)一直大于M2管的閾值電壓時(shí)，VHc始終處于高電平，M1的柵極就處于低電平，不工作。僅當(dāng)VL的電勢(shì)小于M2管的閾值電壓時(shí)，VH的電勢(shì)才由上橋驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制。綜上分析的結(jié)果，M1和M2就不可能有同時(shí)導(dǎo)通的情況出現(xiàn)，這樣，也沒必要另外設(shè)置死區(qū)時(shí)間，從而來(lái)避免總線Vbus和地之間短路的情況發(fā)生。

2.4 比較器加速電路的設(shè)計(jì)

基于上面的原理：要求比較器[3]的速度較快，精度較高。圖5電路為一種鎖存結(jié)構(gòu)，其采用正反饋特性[4,5]加速比較過(guò)程。該鎖存結(jié)構(gòu)是由時(shí)鐘控制的電路結(jié)構(gòu)，時(shí)鐘頻率可取自半橋電路的驅(qū)動(dòng)頻率（振蕩器的頻率）。鎖存電路為兩級(jí)放大電路，第一級(jí)為MM3和MM4組成的差分結(jié)構(gòu)，輸出為b和a；第二級(jí)由MM2和MM1組成的差分結(jié)構(gòu)，輸出為單端輸出d端。其工作原理如下：當(dāng)輸入信號(hào)Latch_clk低電平時(shí)，MF1，MF2兩個(gè)NMOS管柵壓為低電平,兩管截止，不導(dǎo)通。a，b兩點(diǎn)被MB2，MB1拉為高電平，MM1和MM2也不工作。由于MW3和MW4兩管導(dǎo)通，所以d，c都為高電平。當(dāng)Latch_clk信號(hào)從低電平轉(zhuǎn)為高電電平后，MF1，MF2兩管導(dǎo)通，如果此時(shí)有2nd_o2>2nd_o1,則I(2nd_o2)>I(2nd_o1),從而b點(diǎn)電位比a點(diǎn)電位下降的快，導(dǎo)致MB1開通的速度更快，使得a點(diǎn)電位上升，進(jìn)而促使MN2比MN1開通的速度快，進(jìn)一步的降低b點(diǎn)電位。這是其中的一個(gè)正反饋過(guò)程。另外，因b點(diǎn)電位迅速下降，MM2電流增加，a點(diǎn)電位上升，使得MM1電流減小，d點(diǎn)電位開始拉高，c點(diǎn)電位開始拉低，于是MW1電流開始減小，MW2電流開始增大，這又是第二個(gè)正反饋的過(guò)程。總而言之，該結(jié)構(gòu)采用了兩級(jí)正反饋結(jié)構(gòu)加速比較過(guò)程。而比較器電路采用普通的二級(jí)比較器電路[6]。

3.仿真結(jié)果

圖6代表的是MOS管的柵源電壓和漏電流的關(guān)系曲線圖。從圖中的仿真結(jié)果可以得出，MOS管的閾值電壓為2V左右，所以在圖4中設(shè)置的閾值電壓Vth可以參考這個(gè)值，但是為了防止MOS管的亞閾值狀態(tài)的出現(xiàn)，圖4中Vth比較值設(shè)置為1.2V（甚至可以更小點(diǎn)）。

在圖3電路的仿真過(guò)程中，半橋電路的驅(qū)動(dòng)頻

率f選擇為80KHz，電感值L=10μH，電容=2200pF,電阻R=50Ω，得到的仿真結(jié)果如圖7和圖8所示。圖7中，上面的曲線代表的是圖3中上橋臂的VH電壓，下面的曲線為圖3中的下橋臂的VL電壓。從圖7中可以讀出死區(qū)時(shí)間為：

Tdead=(7.2829-6.4785)μS

=0.804(μS)

在圖8中，上面曲線代表的是上橋臂柵極電壓VH，下面的曲線為柵極控制信號(hào)VHc電壓信號(hào)。從圖8的結(jié)果來(lái)看，VHc高電平時(shí)把VH的電勢(shì)拉到最低電平。在圖9中，上面曲線代表的是下橋臂柵極電壓VL，下面的曲線為柵極控制信號(hào)VLc電壓信號(hào)。從圖8的結(jié)果來(lái)看，VLc高電平時(shí)把VL的電勢(shì)拉到最低電平。在同一時(shí)刻，結(jié)合圖7-9的仿真結(jié)果，死區(qū)時(shí)間完全只由器件柵極上升延遲和下降延遲決定的。

4.實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

為驗(yàn)證所設(shè)計(jì)電路的正確性，搭建了實(shí)驗(yàn)電路板（有些器件模型選擇與仿真有點(diǎn)出入），并得出了實(shí)驗(yàn)波形如圖10所示。在圖10中，共顯示了四路波形：VH，VL，VHc，VLc。上面兩條曲線分別代表是VH，VL波形（每格2V）；下面兩條曲線代表是VHc,VLc波形（每格5V）。從圖中可以得出：VH和VL相交的電壓不超過(guò)1.2V,滿足設(shè)計(jì)要求。

5.結(jié)論

在半橋電路中，利用控制器電路不斷的檢測(cè)上下橋的柵源電壓，當(dāng)柵源電壓差值小于閾值電壓時(shí)，MOS管不導(dǎo)通，此時(shí)，另一橋臂的MOS管的柵壓才受驅(qū)動(dòng)電路控制，柵極電壓才開始上升。由此，可以完全避免上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通的現(xiàn)象出現(xiàn)。從死區(qū)時(shí)間的結(jié)果來(lái)看，感抗負(fù)載下，死區(qū)時(shí)間的占空比都不超過(guò)10%。此外，通過(guò)設(shè)置較小的閾值電壓，可以得到更小的死區(qū)時(shí)間。控制電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，比較器中添加正反饋特性，主要是增強(qiáng)反應(yīng)速度，減小比較器電路延遲時(shí)間。

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基金項(xiàng)目：教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃資助（2008）。

作者簡(jiǎn)介：

篇(7)

關(guān)鍵詞：EDA技術(shù)；電子設(shè)計(jì)；應(yīng)用

隨著現(xiàn)代社會(huì)數(shù)字技術(shù)和信息技術(shù)的不斷發(fā)展進(jìn)度，我國(guó)數(shù)字化電子信息產(chǎn)品也得到一定發(fā)展，電子技術(shù)自動(dòng)化逐漸成為電子設(shè)計(jì)的重要基礎(chǔ)，在推進(jìn)電子設(shè)計(jì)系統(tǒng)穩(wěn)定持續(xù)發(fā)展方面也發(fā)揮著重要的作用。因此積極探討EDA技術(shù)在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域內(nèi)的實(shí)際應(yīng)用情況，對(duì)于提高電子設(shè)計(jì)水平以及促進(jìn)電子系統(tǒng)規(guī)模化發(fā)展方面，都具有重要的意義。

1 EDA技術(shù)概述

1.1 簡(jiǎn)介

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)簡(jiǎn)稱EDA技術(shù)，是電子技術(shù)及仿真模擬工作的基礎(chǔ)技術(shù)，通過(guò)可編程邏輯器件在數(shù)字系統(tǒng)中的有效應(yīng)用，切實(shí)提高了電子設(shè)計(jì)的靈活性和可控性，并且通過(guò)可編程邏輯器件的結(jié)構(gòu)及工作方式的重構(gòu)，有效的提高了電子設(shè)計(jì)硬件的效率。尤其是PLD應(yīng)用的進(jìn)度，促使其下載方式以及集成規(guī)模等都發(fā)生了一定程度的變化，有效的推動(dòng)了現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展，EDA技術(shù)基于EDA工具軟件平臺(tái)，通過(guò)對(duì)硬件描述語(yǔ)言進(jìn)行有效應(yīng)用，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)邏輯描述，從而完成設(shè)計(jì)文件。EDA技術(shù)也具有自動(dòng)完成邏輯翻譯、邏輯分割等功能，為保障電子線路系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)提供可靠的基礎(chǔ)。

1.2 現(xiàn)狀

就EDA技術(shù)的發(fā)展情況來(lái)看，半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步，推進(jìn)了EDA技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)前IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在高度發(fā)展的同時(shí)也面臨著產(chǎn)品上市周期縮短、成本降低等挑戰(zhàn)，這就需要相關(guān)設(shè)計(jì)人員積極選用高效的EDA技術(shù)，全面衡量設(shè)計(jì)過(guò)程中硬件的物理特性對(duì)設(shè)計(jì)時(shí)序及功能的潛在影響，并積極選用合適的設(shè)計(jì)術(shù)語(yǔ)以及抽象形式等數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行描述設(shè)計(jì)，以保證電子設(shè)計(jì)的合理性和可靠性。EDA技術(shù)在電子設(shè)計(jì)中對(duì)測(cè)試深驗(yàn)證亞微米技術(shù)的物理效應(yīng)能力以及抽象設(shè)計(jì)能力都有著嚴(yán)格的要求。

EDA技術(shù)的發(fā)展，與計(jì)算機(jī)技術(shù)、電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)等都存在著密切的聯(lián)系，總的來(lái)看，EDA技術(shù)的發(fā)展主要分為三個(gè)階段，一是計(jì)算機(jī)輔助階段，主要是在計(jì)算機(jī)的輔助下對(duì)電路原理圖進(jìn)行編輯和處理，轉(zhuǎn)變傳統(tǒng)的繪圖工作方式，以規(guī)范的PCB布線布局方式來(lái)提高電子設(shè)計(jì)效果。二是計(jì)算機(jī)輔助工程設(shè)計(jì)階段，通過(guò)邏輯模擬、故障仿真以及定時(shí)分析功能，對(duì)產(chǎn)品的相關(guān)性能及功能進(jìn)行提前預(yù)知，從而促進(jìn)電路設(shè)計(jì)中各項(xiàng)問(wèn)題的有效解決。三是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化階段，通過(guò)對(duì)高級(jí)描述語(yǔ)言及綜合技術(shù)的有效應(yīng)用，完成設(shè)計(jì)前期的高層次設(shè)計(jì)，促進(jìn)電力設(shè)計(jì)質(zhì)量和效果的提升。

2 EDA技術(shù)要點(diǎn)

2.1 硬件描述語(yǔ)言

硬件描述語(yǔ)言主要是通過(guò)軟件百年城來(lái)對(duì)電子系統(tǒng)中的電路結(jié)合以及邏輯功能等進(jìn)行具體描述，為保證EDA技術(shù)在電子設(shè)計(jì)中的實(shí)際應(yīng)用效果，應(yīng)當(dāng)對(duì)硬件描述語(yǔ)言進(jìn)行合理運(yùn)用，確保其最大程度上滿足的大規(guī)模的電子系統(tǒng)。IE EE是一種全方位的硬件描述語(yǔ)言，以VHDL為硬件描述語(yǔ)言的各種功能，包含多個(gè)設(shè)計(jì)層次，促進(jìn)系統(tǒng)行為級(jí)、邏輯燜雞等設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)，在實(shí)際應(yīng)用中可以通過(guò)數(shù)據(jù)流、結(jié)構(gòu)及行為等三種方式實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)項(xiàng)目的混合描述。VHDL硬件描述語(yǔ)言在實(shí)際應(yīng)用中具有良好的移植性，便于工藝之間相互轉(zhuǎn)換，促進(jìn)系統(tǒng)功能得以實(shí)現(xiàn)。

2.2 ASIC技術(shù)

就EDA技術(shù)得總體情況來(lái)看，將ASIC芯片合理應(yīng)用到集成電路設(shè)計(jì)中，能夠有效的解決電子系統(tǒng)集成電路中存在的可靠性差、體積大等主要問(wèn)題，促進(jìn)電子設(shè)計(jì)的總體效果的提升。在現(xiàn)代社會(huì)科學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展的大環(huán)境下，電子產(chǎn)品市場(chǎng)的門檻不斷提高，ASIC芯片也日趨復(fù)雜，主要分為全定制或半定制ASIC及可編程。為保證EDA技術(shù)在電子設(shè)計(jì)中的實(shí)際應(yīng)用效果，應(yīng)當(dāng)盡可能保持所涉及的ASIC芯片獲得最優(yōu)性能，以最大程度上降低技術(shù)耗能、促進(jìn)EDA技術(shù)的利用率得以有效提升。

3 EDA技術(shù)電子設(shè)計(jì)流程及應(yīng)用

3.1 EDA技術(shù)電子設(shè)計(jì)流程

EDA技術(shù)是系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)方法，是一種層次相對(duì)較高的電子設(shè)計(jì)方式，EDA技術(shù)以概念為驅(qū)動(dòng)從而使電子設(shè)計(jì)工作者在設(shè)計(jì)時(shí)無(wú)需利用門級(jí)原理圖，電子設(shè)計(jì)工作者在確定設(shè)計(jì)目標(biāo)之后就可以用EDA技術(shù)來(lái)表述電路，這樣不僅可以減少電路細(xì)節(jié)的約束及限制，同時(shí)也可以使設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)更具創(chuàng)造性。EDA系統(tǒng)在電子設(shè)計(jì)人員將概念構(gòu)思及高層次的描述輸入計(jì)算機(jī)之后在系統(tǒng)規(guī)則下完成對(duì)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。

EDA技術(shù)的電子設(shè)計(jì)工作流程大致包括系統(tǒng)劃分、代碼級(jí)功能仿真、VHDL代碼或圖形的輸入、送配前時(shí)序仿真及ASIC實(shí)現(xiàn)部分。首先，電子設(shè)計(jì)借助文本或者圖形編輯器呈現(xiàn)出設(shè)計(jì)描述，也就是實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)表述。其次，電子設(shè)計(jì)借助編譯器對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行錯(cuò)排編譯，即輸入HDL程序。然后，設(shè)計(jì)人員需要溝通軟件和硬件設(shè)計(jì)，以便實(shí)施功能仿真，即綜合。最后，在確認(rèn)仿真設(shè)計(jì)無(wú)誤時(shí)，通過(guò)FPGA或CPLD完成邏輯映射操作，即編程下載，系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)完成。

3.2 EDA技術(shù)的應(yīng)用

EDA技術(shù)在電子工程設(shè)計(jì)中扮演著非常重要的角色，首先，電子自動(dòng)化技術(shù)可以驗(yàn)證電路設(shè)計(jì)方案的正確性，在進(jìn)行電子設(shè)計(jì)時(shí)，待設(shè)計(jì)方案確定之后，會(huì)利用結(jié)構(gòu)模擬或者系統(tǒng)仿真等方式來(lái)驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案的正確性，在驗(yàn)證過(guò)程中系統(tǒng)中的各個(gè)環(huán)節(jié)的傳遞函數(shù)確定之后設(shè)計(jì)方案便可以實(shí)現(xiàn)。這種系統(tǒng)仿真技術(shù)推廣到非電子專業(yè)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)也會(huì)得到充分的發(fā)展。EDA技術(shù)在系統(tǒng)進(jìn)行仿真之后的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬分析，從而使得電路設(shè)計(jì)方案的可行性及正確性得到充分的保障。其次，電子自動(dòng)化字?jǐn)?shù)也可以對(duì)電路特性進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。電路的穩(wěn)定性能受到元器件容差及工作環(huán)境溫度等的影響。在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程中難以對(duì)電路的整體進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，也無(wú)法全面的分析電路穩(wěn)定性的影響因素。EDA技術(shù)中的溫度分析及統(tǒng)計(jì)分析等功能的應(yīng)用則可以全面的分析電路特性影響因素，從而對(duì)電路特性進(jìn)行整體的優(yōu)化設(shè)計(jì)。最后，電子自動(dòng)化技術(shù)也可以實(shí)現(xiàn)電路特性的全功能模擬測(cè)試。

3.3 以EDA技術(shù)為基礎(chǔ)電子設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)

在利用EDA技術(shù)進(jìn)行電子設(shè)計(jì)時(shí)，首先應(yīng)充分的考慮電子電路延時(shí)的不確定性，以及在系統(tǒng)進(jìn)行自動(dòng)編譯時(shí)會(huì)被冗余的電路簡(jiǎn)化，因此，在應(yīng)用EDA技術(shù)時(shí)，應(yīng)注意采用的反向器個(gè)數(shù)避為偶數(shù)，同時(shí)以并聯(lián)的方式將反向器連接成延時(shí)電路。其次，在設(shè)計(jì)過(guò)程中輸入的弓}腳不能處于置空狀態(tài)，要保證有信號(hào)源來(lái)驅(qū)動(dòng)引腳，及保持部分不用的弓}腳保持接地，同時(shí)，器件的電源應(yīng)始終與地線引腳保持相連，彼此之問(wèn)可以進(jìn)行濾波及去禍。最后，在設(shè)計(jì)中藥避免器件過(guò)于發(fā)熱。

結(jié)束語(yǔ)

當(dāng)前社會(huì)發(fā)展形勢(shì)下，EDA技術(shù)逐漸成為電子設(shè)計(jì)過(guò)程中的核心技術(shù)，并發(fā)展為電子產(chǎn)品研制的源動(dòng)力，通過(guò)EDA技術(shù)的有效應(yīng)用，一定程度上提高了電子設(shè)計(jì)的整體水平，推進(jìn)電子系統(tǒng)向集成化與規(guī)模化方向發(fā)展，為高性能電子產(chǎn)品的開發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

參考文獻(xiàn)

[1]朱金明，黃理瑞.淺析電子設(shè)計(jì)中EDA技術(shù)的應(yīng)用[J].數(shù)字技術(shù)與應(yīng)用，2014（7）.