關(guān)于《Crystal Growth & Design》雜志是否接受AI輔助的論文，目前并沒有明確的官方聲明指出該雜志絕對接受或拒絕AI輔助撰寫的論文，可能會根據(jù)具體情況進行逐案評估，作者在投稿前可以與雜志社進行溝通或咨詢在線客服。

SCI期刊對AI輔助論文的接受程度因期刊而異，以下是對SCI期刊接受AI輔助論文情況的詳細分析：

一、AI輔助論文的使用限制

禁止生成核心內(nèi)容、禁止署名、保證數(shù)據(jù)完整性

二、AI輔助的用途

語言潤色，文獻綜述，圖表推薦

三、建議與策略

1.了解目標期刊政策：在投稿前，作者應(yīng)仔細研究目標SCI期刊的政策和指南，了解其對AI輔助論文的態(tài)度和要求。

2.明確聲明AI使用情況：如果論文中使用了AI輔助技術(shù)，作者應(yīng)在投稿時明確聲明，并提供詳細的AI使用說明和范圍。

3.保持學術(shù)誠信與原創(chuàng)性：作者應(yīng)確保論文的核心內(nèi)容和創(chuàng)新點是由自己獨立完成的，避免過度依賴AI生成的內(nèi)容。

4.深度改寫與個性化處理：對AI生成的內(nèi)容進行深度改寫和個性化處理，以體現(xiàn)個人的學術(shù)思考和見解。

《Crystal Growth & Design》雜志創(chuàng)刊于2001年，國際標準簡稱為Cryst. Growth Des.，ISSN號：1528-7483，E-ISSN號：1528-7505。

該雜志由American Chemical Society出版，出版周期為Monthly，出版語言為English。作為一本專注于化學-材料科學：綜合領(lǐng)域的學術(shù)期刊，它被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，在學術(shù)界具有較高的影響力。

《Crystal Growth & Design》雜志中文名稱為：晶體生長與設(shè)計。

《晶體生長與設(shè)計》旨在促進從事晶體生長、晶體工程和晶體材料工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的科學家和工程師之間的知識交流。

《晶體生長與設(shè)計》發(fā)表與晶體材料的設(shè)計、生長和應(yīng)用相關(guān)的物理、化學和生物現(xiàn)象和過程的理論和實驗研究。鼓勵采用源自不同學科和技術(shù)的協(xié)同方法，整合晶體生長、晶體工程、分子間相互作用和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域。

分區(qū)情況：

在中科院最新升級版分區(qū)表中，該雜志在大類學科化學中位于2區(qū)，小類學科CRYSTALLOGRAPHY晶體學中位于1區(qū)。

JCR分區(qū)信息按JIF指標學科分區(qū)，該雜志在CHEMISTRY, MULTIDISCIPLINARY領(lǐng)域為Q2。

Cite Score數(shù)據(jù)顯示，CiteScore：6.3，SJR：0.649，SNIP：0.893

學科類別

大類：Physics and Astronomy，小類：Condensed Matter Physics，分區(qū)：Q1，排名：97 / 434，百分位：77%； 大類：Physics and Astronomy，小類：General Chemistry，分區(qū)：Q2，排名：105 / 408，百分位：74%；

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